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FQB33N10TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.75W(Ta),127W(Tc) 25V 4V@ 250µA 51nC@ 10 V 1个N沟道 100V 52mΩ@ 16.5A,10V 33A 1.5nF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: FL-FQB33N10TM
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQB33N10TM

FQB33N10TM概述


    产品简介


    FQB33N10 — N-Channel QFET® MOSFET
    FQB33N10是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强模式功率MOSFET,采用Fairchild Semiconductor独有的平面条纹技术和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)工艺制造。这款MOSFET特别设计用于降低导通电阻(RDS(on)),提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。FQB33N10适用于多种应用场景,包括开关电源、音频放大器、直流电机控制以及变频开关电源等。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 100 V
    - 持续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 33 A
    - TC = 100°C: 23 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAR): 33 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 12.7 mJ
    - 雪崩能 (EAS): 435 mJ
    - 峰值二极管恢复电压变化率 (dv/dt): 6.0 V/ns
    - 功率和热特性
    - 热阻,结到外壳 (RθJC): 最大1.18°C/W
    - 热阻,结到环境 (RθJA):
    - 最小铜垫2oz: 62.5°C/W
    - 1平方英寸铜垫2oz: 40°C/W
    - 功耗 (PD):
    - TA = 25°C时: 3.75 W
    - TC = 25°C时: 127 W
    - 温度超过25°C后,每度下降0.85 W
    - 其他参数
    - 栅极-源极电压 (VGSS): ±25 V
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 额定最大引脚焊接温度 (TL): 300°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 最大值为52 mΩ (VGS = 10 V, ID = 16.5 A),这有助于减少功率损耗,提高效率。
    2. 低栅极电荷 (Qg): 典型值为38 nC,有助于减少开关损耗。
    3. 低反向传输电容 (Crss): 典型值为62 pF,有助于改善开关速度和减少电磁干扰。
    4. 高雪崩测试覆盖率: 所有器件均经过100%的雪崩测试,确保可靠性。
    5. 宽温度范围: 可承受-55°C至+175°C的工作和存储温度范围。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:FQB33N10可以应用于高效能的开关电源系统,提供出色的开关特性和较低的导通损耗。
    - 音频放大器:在音频放大器应用中,它可以减少功率损耗,提高信噪比。
    - 直流电机控制:在直流电机控制系统中,它可以提供快速且稳定的响应。
    - 变频开关电源:在变频电源应用中,它可以提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议
    1. 散热管理:为了保证最佳性能,应合理布置电路板以促进良好的热传导。考虑到较高的热阻值,建议增加铜散热片或采用散热器来辅助散热。
    2. 驱动电路设计:由于较低的栅极电荷 (Qg),在驱动电路设计时应注意避免过度的开关损耗。
    3. EMI处理:由于较低的反向传输电容 (Crss),可以在电路中加入RC吸收电路以减小电磁干扰。

    兼容性和支持


    FQB33N10 MOSFET与市场上常见的电子元器件具有较好的兼容性,可广泛应用于多种电子设备中。ON Semiconductor提供详尽的技术文档和应用指南,支持客户进行高效的应用开发和调试。此外,ON Semiconductor的全球技术支持团队也可随时提供必要的支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温环境下器件性能不稳定。
    - 解决方案: 确保使用足够的散热措施,如散热片或散热器,以降低工作温度。同时注意环境温度控制。
    2. 问题: 开关损耗过大。
    - 解决方案: 检查驱动电路设计,确保栅极电荷 (Qg) 和栅极-源极电压 (VGSS) 的选择符合需求。合理优化电路布局和器件选型。
    3. 问题: 输出波形异常。
    - 解决方案: 检查寄生电容的影响,添加适当的滤波电路或减少外部噪声干扰。

    总结和推荐


    综合评估:
    FQB33N10 MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷、优异的开关性能和高可靠性,使其在众多应用场景中表现出色。它的适用范围广泛,能够满足各类复杂和苛刻的工作环境要求。此外,ON Semiconductor提供了全面的技术支持和完善的文档资料,便于客户进行开发和调试。
    推荐使用:
    鉴于FQB33N10 MOSFET的各项优点,我们强烈推荐将其用于需要高性能、高效能和高可靠性的应用场合,如开关电源、音频放大器和直流电机控制等领域。

FQB33N10TM参数

参数
最大功率耗散 3.75W(Ta),127W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@25V
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 16.5A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 51nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 33A
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

FQB33N10TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQB33N10TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQB33N10TM FQB33N10TM数据手册

FQB33N10TM封装设计

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