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FQD13N06TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),28W(Tc) 25V 4V@ 250µA 7.5nC@ 10 V 1个N沟道 60V 140mΩ@ 5A,10V 10A 310pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FQD13N06TMDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD13N06TM

FQD13N06TM概述

    # FQD13N06 N-Channel QFET® MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    基本介绍
    FQD13N06 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor 的一部分)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该产品采用 Fairchild 独有的平面条纹技术和 DMOS 工艺制造,具有较低的导通电阻和卓越的开关性能。这款器件适用于多种高效率的应用场景,如开关电源(SMPS)、主动功率因数校正(PFC)以及电子镇流器等。
    主要功能
    - 低导通电阻(最大值为 140 mΩ)
    - 高效开关特性
    - 高雪崩耐受能力
    - 支持高频电路设计
    应用领域
    - 开关模式电源系统
    - 功率因数校正电路
    - 镇流器控制
    - 各种工业控制及消费电子产品

    技术参数


    以下为 FQD13N06 的关键电气和热学参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 栅源电压范围 | VGS | V | ±25 | ±25 | ±25 |
    | 击穿电压(漏源间) | BVDSS | V 60 |
    | 连续漏极电流(Tc=25°C) | ID | A 10
    | 最高结温 | TJ, TSTG | °C | -55 150 |
    | 热阻(结至外壳) | RθJC | °C/W 4.5
    | 最大雪崩能量 | EAS | mJ 85 |
    详细特性还包括:
    - 开关时间:td(on) = 5~20 ns,td(off) = 8~25 ns
    - 门电荷:Qg = 5.8~7.5 nC
    - 反向恢复电荷:Qrr = 40 nC

    产品特点和优势


    突出特性
    1. 低导通电阻:在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 最大为 0.14 Ω,非常适合低功耗应用场景。
    2. 快速开关性能:开关延迟时间和上升时间短,确保高频工作的可靠性。
    3. 高可靠性:通过 100% 雪崩测试验证,适合恶劣环境下的稳定运行。
    4. 低门电荷:典型值仅为 5.8 nC,降低驱动电路的能耗。
    市场竞争力
    与其他同类产品相比,FQD13N06 在性能和成本之间实现了平衡,尤其适合需要高效率和高可靠性的中小功率设计。此外,它能够提供良好的热管理能力,在高温环境中依然表现优异。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    - 开关电源:用于 DC-DC 转换器中作为主控开关管。
    - 功率因数校正电路:配合 PFC 控制芯片实现高效能功率调整。
    - 电机驱动器:适合直流无刷电机驱动模块。
    使用建议
    - 确保 PCB 设计合理,增加铜箔面积以提高散热效果。
    - 配置适当的驱动电路,减少开关损耗并提升整体效率。
    - 针对高电流场景,注意并联使用多个 MOSFET 并分配负载。

    兼容性和支持


    兼容性
    - FQD13N06 可与其他标准封装的 N 沟道 MOSFET 互换,便于替换升级。
    - 支持主流焊接工艺,与多种 PCB 材料良好匹配。
    支持信息
    ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线支持服务,包括软件工具、参考设计以及客户定制化技术支持。用户可通过官网下载最新资料,并获得专业的工程师团队指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增大 PCB 散热区域。 |
    | 开关过程中出现异常噪声 | 检查门极电阻值是否合适,适当调整阻值。 |
    | 长期使用后性能下降 | 定期检查连接点接触情况,必要时更换元件。 |

    总结和推荐


    综合评估
    FQD13N06 N-Channel QFET® MOSFET 以其出色的导通电阻、快速开关特性和可靠性成为众多应用的理想选择。特别是在需要高性能和紧凑尺寸的设计中,它展现了显著的优势。
    推荐结论
    我们强烈推荐此产品给那些寻求高效能、低成本解决方案的设计者。无论是研发阶段还是量产环节,FQD13N06 都是一个值得信赖的选择。建议结合具体应用场景进行进一步评估,并参考制造商提供的设计指南完成最终部署。

FQD13N06TM参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 310pF@25V
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 7.5nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 2.5W(Ta),28W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 5A,10V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

FQD13N06TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD13N06TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD13N06TM FQD13N06TM数据手册

FQD13N06TM封装设计

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