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NTMFS5C677NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),37W(Tc) 20V 2V@ 25µA 9.7nC@ 10 V 1个N沟道 60V 15mΩ@ 10A,10V 11A,36A 620pF@25V 贴片安装
供应商型号: FL-NTMFS5C677NLT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C677NLT1G

NTMFS5C677NLT1G概述

    # NTMFS5C677NL Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMFS5C677NL 是一款单个N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高效率的应用场景。它具有紧凑的设计,低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,低栅极电荷(QG)以减少驱动器损耗,特别适用于需要高频操作的场合。此外,这些设备符合RoHS标准且无铅。
    主要参数
    - 额定电压 (VDSS):60V
    - 连续漏电流 (ID):36A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):166A
    - 导通电阻 (RDS(on)):15.0mΩ @ 10V;21.5mΩ @ 4.5V
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏电流 | ID | 36 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 166 | A |
    | 热阻 (Junction-to-Case) | RJC | 4.1 | °C/W |
    | 热阻 (Junction-to-Ambient) | RJA | 43 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=250μA | 60 V |
    | 阈值电压 | VGS(TH) | VGS=VDS, ID=25μA | 1.2 | 2.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=10A | 12.5 | 15.0 mΩ |
    | 输入电容 | CISS | VGS=0V, f=1MHz, VDS=25V 620 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 340 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | 7 | pF |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | VGS=4.5V, VDS=48V; ID=10A | 4.5 nC |
    | 峰值反向恢复电流 | IPEAK A |

    产品特点和优势


    - 小型封装 (5x6mm):适用于紧凑设计。
    - 低导通电阻:最小化传导损耗。
    - 低栅极电荷:最小化驱动器损耗。
    - 环保材料:无铅,RoHS合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTMFS5C677NL 广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明系统和其他需要高效率和紧凑设计的应用场合。
    使用建议
    - 在高频率工作时,注意散热管理以确保设备正常运行。
    - 考虑使用大容量的滤波电容来减小电压波动。
    - 在实际应用中,可以根据具体需求选择合适的驱动器。

    兼容性和支持


    NTMFS5C677NL 采用无铅工艺制造,并符合RoHS标准,易于与其他无铅电子元件兼容。该产品还提供技术支持,帮助客户解决实际应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确焊接?
    解决方案:建议使用温度为260°C的烙铁进行焊接,焊接时间为10秒,距离外壳1/8英寸处。
    问题2:设备工作温度范围是多少?
    解决方案:设备的工作温度范围是-55°C至+175°C。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS5C677NL 具有出色的性能和广泛的适用性。其小型封装、低导通电阻和低栅极电荷等特点使其成为高性能应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和紧凑设计的场合。
    如果您有任何进一步的技术问题或需要更多信息,请访问官方网站或联系技术支持团队。

NTMFS5C677NLT1G参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 10A,10V
最大功率耗散 3.5W(Ta),37W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 620pF@25V
配置 -
栅极电荷 9.7nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 11A,36A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 25µA
Vgs-栅源极电压 20V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS5C677NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C677NLT1G数据手册

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NTMFS5C677NLT1G封装设计

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