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FDBL0200N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 429W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 133nC@ 10 V 1个N沟道 100V 2mΩ@ 80A,10V 300A 9.76nF@50V HPSOF-8 贴片安装
供应商型号: UNP-FDBL0200N100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDBL0200N100

FDBL0200N100概述

    MOSFET – N-Channel POWERTRENCH FDBL0200N100

    1. 产品简介


    FDBL0200N100是一款N沟道功率MOSFET,属于POWERTRENCH系列。它具备出色的电气性能和强大的可靠性,适用于多种工业和消费级应用。该MOSFET主要功能包括高电流承载能力、低导通电阻和快速开关速度,使其广泛应用于工业电机驱动、工业电源供应、电池保护系统以及太阳能逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 电压范围:最大漏源电压 \( V{DSS} \) 为100 V。
    - 持续漏极电流:\( I{D} \) 在\( V{GS}=10 V \) 时可达300 A。
    - 最大功耗:在环境温度为25°C时为429 W,超过25°C后每增加1°C降低2.9 W/°C。
    - 典型参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):在 \( V{GS}=10 V \), \( I{D}=80 A \) 时为1.5 mΩ(典型值)。
    - 栅极电荷 \( Q{g(TOT)} \):在 \( V{GS}=10 V \), \( I{D}=80 A \) 时为95 nC(典型值)。
    - 其他关键参数
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \):在 \( V{GS}=V{DS} \), \( I{D}=250 μA \) 时为2.0~4.5 V。
    - 输入电容 \( C{iss} \):在 \( V{DS}=50 V \), \( V{GS}=0 V \),频率 \( f=1 MHz \) 时为6970~9760 pF。

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:低导通电阻(\( R{DS(on)} \) 1.5 mΩ)和低栅极电荷(\( Q{g(TOT)} \) 95 nC),使得功耗更低,效率更高。
    - 高可靠性:单脉冲雪崩能量高达352 mJ,可在极端条件下保持稳定性能。
    - 环保设计:无铅且符合RoHS标准,有利于环境保护。
    - 兼容性强:适用于广泛的工业和消费级应用,包括电机驱动、电池保护、太阳能逆变器等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 工业电机驱动:FDBL0200N100可用于工业电机的驱动控制,提供稳定的电流和可靠的保护。
    - 太阳能逆变器:该MOSFET具备高功率处理能力和快速响应速度,适合用于太阳能逆变器中进行能量转换。
    - 使用建议:
    - 散热管理:确保良好的散热设计以维持稳定的工作温度,避免过热。
    - 电源供应:采用低感性引线,减少寄生效应,提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDBL0200N100与各种主流的工业自动化设备和其他电力电子设备高度兼容,方便集成。
    - 支持服务:ON Semiconductor提供详尽的技术支持文档,帮助用户深入了解产品特性并优化应用方案。此外,公司还提供了客户支持热线和电子邮件服务,确保用户能在需要时获得及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻随温度变化。
    - 解决方案:使用散热片或其他冷却装置来保持器件在安全的工作温度范围内。

    - 问题2:电路响应时间较长。
    - 解决方案:优化电路布局,选择合适的栅极电阻以减少延迟时间。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FDBL0200N100凭借其低导通电阻、高可靠性和快速响应等显著优点,在工业和消费级应用中表现出色。尤其是在需要高性能和可靠性的场合,如工业电机驱动和太阳能逆变器等领域,该产品无疑是理想的选择。强烈推荐用户考虑在相关项目中采用这款MOSFET。

FDBL0200N100参数

参数
配置 独立式withbuilt-indiode
Id-连续漏极电流 300A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 80A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 429W(Tc)
栅极电荷 133nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.76nF@50V
9.9mm(Max)
10.48mm(Max)
2.4mm(Max)
通用封装 HPSOF-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDBL0200N100厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDBL0200N100数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDBL0200N100 FDBL0200N100数据手册

FDBL0200N100封装设计

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