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NDS0610

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 120 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-NDS0610
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDS0610

NDS0610概述

    NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    1. 产品简介


    NDS0610是一款由安森美半导体(onsemi)生产的P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode FET)。这款晶体管采用安森美半导体专有的高密度DMOS技术制造,旨在实现低导通电阻(RDS(on))、坚固可靠的表现以及快速开关能力。NDS0610适用于需要120mA直流电及以下的应用,最高可输出1A电流。特别适合于需要低电压和低电流高边开关的应用场景。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏极连续电流 (ID): -0.12 A
    - 最大功耗 (PD): 0.36 W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -0.5 A: 1.0 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -0.25 A: 1.3 Ω
    - 转移电容 (Ciss): 79 pF @ VDS = -25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz
    - 关断延时时间 (td(off)): 10 ns 至 15 ns
    - 关断下降时间 (tf): 7.5 ns 至 15 ns
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源击穿电压 (VDS): -60 V
    - 栅源击穿电压 (VGSS): ±20 V
    - 最大结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 热特性:
    - 结温至环境温度的热阻 (RθJA): 350 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高密度单元设计: 使得导通电阻较低,进一步提升能效。
    - 高饱和电流: 提升了晶体管的电流承载能力。
    - 快速开关特性: 减少了延迟时间和上升时间,提升了应用系统的响应速度。
    - 低漏电流: 减小了在关断状态下的漏电流,增强了稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    NDS0610常用于需要低电压和低电流高边开关的场合,例如电池供电的便携式设备、电机控制电路和电源转换器等。对于需要高精度控制的场景,建议使用较高的栅源电压来确保充分的开关控制。在设计时应注意电路的布局,以避免寄生电感和电容对性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    NDS0610与标准SOT-23封装兼容,易于集成到现有电路中。安森美半导体提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和应用这款晶体管。此外,通过安森美的官方网站,用户可以获取最新的产品信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一: 晶体管在高温下出现不稳定。
    - 解决方案: 确保在设计电路时考虑到散热,适当增加散热片或使用散热材料。
    - 问题二: 开关过程中的高频振荡。
    - 解决方案: 添加合适的栅极电阻(RG),以减少高频振荡。
    - 问题三: 漏电流过大。
    - 解决方案: 使用较大的栅源电压来改善关断特性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NDS0610 P-Channel Enhancement Mode FET凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,在多种应用场合中表现出色。特别是在低电压和低电流的高边开关应用中,它展现了卓越的性能。推荐此款晶体管用于需要高性能和稳定性的系统设计中。

NDS0610参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 2.5nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 79pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 360mW(Ta)
Id-连续漏极电流 120mA
Rds(On)-漏源导通电阻 10Ω@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NDS0610厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDS0610数据手册

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NDS0610封装设计

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