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NVD4806NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.4W(Ta),68W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 6mΩ@ 30A,10V 11.3A,79A 2.142nF@12V TO-252-3 贴片安装
供应商型号: FL-NVD4806NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD4806NT4G

NVD4806NT4G概述


    产品简介


    NTD4806N 和 NVD4806N 是高性能的单通道N沟道功率MOSFET,主要用于CPU电源输送、直流-直流转换器和低端开关应用。这些MOSFET的特点在于低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,低电容以减少驱动损耗,以及优化的栅极电荷以减少开关损耗。此外,NVD4806N型号还通过了AEC-Q101认证并具备PPAP能力,确保在汽车和工业应用中的可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏源电压 (VDSS): 30V
    - 持续漏电流 (TA=25°C): 15.6A
    - 最大脉冲漏电流 (tp=10μs): 150A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 220mJ
    - 连续工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10至11.5V, ID = 30A: 4.9 至 6.0mΩ
    - VGS = 4.5V, ID = 30A: 7.9 至 9.4mΩ
    - 输入电容 (Ciss): 2142pF
    - 输出电容 (Coss): 480pF
    - 反向转移电容 (Crss): 251pF
    - 热阻
    - 结到外壳热阻 (RJC): 2.2°C/W
    - 结到引脚热阻 (RJC-TAB): 3.5°C/W

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):最小化传导损耗,适合高效率应用。
    - 低电容:最小化驱动损耗,适用于高速开关。
    - 优化的栅极电荷:减少开关损耗,提高整体能效。
    - AEC-Q101认证:满足汽车行业的高标准,具备PPAP能力。
    - 环保设计:无铅,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. CPU电源输送:这些MOSFET能够在CPU供电系统中高效地传输电力,特别是在便携式电子设备中。
    2. 直流-直流转换器:作为转换器中的关键组件,可以有效提升电源系统的效率。
    3. 低端开关:适用于各种开关应用,如电池充电电路中的开关组件。
    使用建议
    - 在选择合适的驱动器时,要考虑到MOSFET的低栅极电荷特性,以便减小驱动损耗。
    - 为保证散热效果,尽量使用大面积的铜箔来降低热阻,尤其是在高温环境下运行时。
    - 考虑到MOSFET的高频特性,应当选择具有低电感特性的PCB布局,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    NTD4806N和NVD4806N可以与多种电源管理电路和其他电子元件兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用指南和技术支持热线。此外,这些MOSFET的封装方式使其能够轻松安装在大多数主流的电路板上。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,MOSFET的导通电阻明显增加。
    - 解决方案:通过增加散热片或者改善PCB布局来增强散热效果,确保温度不超过最大允许值。

    2. 问题:MOSFET在启动时电流波动较大。
    - 解决方案:在驱动电路中添加缓冲电容器,以平滑启动过程中的电流变化。
    3. 问题:长时间使用后出现过温现象。
    - 解决方案:使用热敏电阻或其他温度监控装置,及时监测温度并在必要时采取保护措施。

    总结和推荐


    NTD4806N和NVD4806N是高性能的功率MOSFET,在CPU电源输送、直流-直流转换器和低端开关等应用中表现出色。其低RDS(on)和低电容特性使得它们在多种应用场景中具有显著的优势。这些器件不仅性能卓越,而且经过严格的测试和认证,非常适合于要求高的工业和汽车应用。因此,强烈推荐在高效率电源管理和开关应用中使用这些MOSFET。

NVD4806NT4G参数

参数
最大功率耗散 1.4W(Ta),68W(Tc)
配置 -
Id-连续漏极电流 11.3A,79A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.142nF@12V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 23nC@ 4.5 V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 30A,10V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVD4806NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD4806NT4G数据手册

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NVD4806NT4G封装设计

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