处理中...

首页  >  产品百科  >  NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 48W(Tc) 20V 2.6V@1mA 29nC@ 10 V 1个P沟道 40V 25mΩ@ 15A,10V 33A 1.38nF@20V ATPAK 贴片安装
供应商型号: Q-NVATS5A106PLZT4G
供应商: 国内现货
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G概述

    电子元器件技术手册:NVATS5A106PLZ

    1. 产品简介


    NVATS5A106PLZ是一款P-Channel功率MOSFET(场效应晶体管),主要应用于紧凑且高效的汽车设计中。其独特的高热性能设计使得其在各种严苛环境中表现优异。此款MOSFET通过了AEC-Q101认证,并支持PPAP(生产件批准程序),因此非常适合于汽车相关应用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): -40 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): -33 A
    - 脉冲漏电流 (IDP): -100 A
    - 功率耗散 (PD): 48 W
    - 结温与存储温度 (Tj, Tstg): -55°C ~ +175°C
    - 雪崩能量 (EAS): 30 mJ
    - 雪崩电流 (IAV): -15 A
    - 热阻率
    - 结到壳热阻 (RθJC): 3.1 °C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 80.5 °C/W
    - 电气连接
    - P-Channel
    - 漏源断开电压 (V(BR)DSS): -40 V
    - 漏源静态导通电阻 (RDS(on)): 25 mΩ (VGS=-10 V)
    - 输入电容 (Ciss): 1,380 pF
    - 输出电容 (Coss): 210 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 150 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12 ns
    - 上升时间 (tr): 120 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 110 ns
    - 下降时间 (tf): 90 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 29 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: 25 mΩ,可有效降低功耗。
    - 高电流能力: 支持高达-33 A的连续漏电流。
    - 100%雪崩测试: 确保在极端条件下依然可靠。
    - AEC-Q101认证: 符合严格的汽车级标准。
    - ATPAK封装: 兼容DPAK(TO-252)封装。
    - 无铅、无卤素和RoHS合规: 符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 反向电池保护: 在汽车电源系统中防止反接导致的损坏。
    - 负载开关: 控制大电流负载的通断。
    - 前灯控制器: 在汽车前灯系统中调节电流。
    - 车身控制单元: 在汽车电子控制系统中实现高效切换。
    使用建议:
    - 确保在安装时充分考虑散热设计,以避免过热问题。
    - 在应用高压时,注意保护电路免受静电损坏。
    - 定期进行性能检测,确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: ATPAK封装与DPAK封装(TO-252)引脚兼容,方便替换现有设备。
    - 支持与维护: ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确保安装良好的散热设计,如使用散热片或散热器。
    - 问题2: 设备在快速开关过程中产生显著振铃。
    - 解决方案: 添加外部栅极电阻,减小开关速度,降低振铃幅度。
    - 问题3: 设备在低温环境中无法正常启动。
    - 解决方案: 检查电路的其他部分,确保所有组件在低温下正常工作。

    7. 总结和推荐


    NVATS5A106PLZ凭借其出色的性能和广泛的应用领域,在汽车电子系统中表现卓越。其低导通电阻、高电流能力和可靠的雪崩测试性能使其成为紧凑高效设计的理想选择。同时,ATPAK封装的兼容性和ON Semiconductor提供的技术支持使得该产品在市场上具备极高的竞争力。总体而言,强烈推荐该产品用于需要高性能、高可靠性的应用场合。

NVATS5A106PLZT4G参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.38nF@20V
栅极电荷 29nC@ 10 V
最大功率耗散 48W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 15A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.6V@1mA
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 33A
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 ATPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVATS5A106PLZT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVATS5A106PLZT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVATS5A106PLZT4G NVATS5A106PLZT4G数据手册

NVATS5A106PLZT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 73874
起订量: 0 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336