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NVMFS5C450NAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),68W(Tc) 20V 3.5V@ 65µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.3mΩ@ 50A,10V 24A,102A 1.6nF@25V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NVMFS5C450NAFT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C450NAFT1G

NVMFS5C450NAFT1G概述


    产品简介


    NVMFS5C450N是一款单个N沟道功率MOSFET,适用于多种电子应用。该产品具有小体积(5x6毫米)的设计,有助于实现紧凑型设计。其低导通电阻(RDS(on))特性可显著减少传导损耗,同时低栅极电荷(QG)和电容能进一步降低驱动损耗。此外,该产品还提供了湿性边缘选项(NVMFS5C450NWF),以增强光学检测效果,并且符合AEC-Q101认证标准及PPAP能力要求。它还是无铅和RoHS兼容的产品。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 40 V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流:
    - TC = 25°C:ID = 102 A
    - TC = 100°C:ID = 72 A
    - 脉冲漏极电流:tp = 10 μs时,IDM = 554 A
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 输出漏极-源极雪崩能量:EAS = 215 mJ
    - 反向恢复时间:tRR = 37 ns
    - 输入电容:CISS = 1600 pF(VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容:COSS = 830 pF
    - 开关延迟时间:td(ON) = 10 ns(VGS = 10 V, VDS = 20 V)

    产品特点和优势


    NVMFS5C450N具备多个显著的特点,使其在应用中表现出色:
    - 小尺寸:5x6毫米的小封装使得该产品非常适合空间有限的应用场景。
    - 低RDS(on):导通电阻低至3.3毫欧姆,能够有效降低电路中的能耗,提升效率。
    - 低QG和电容:这些参数降低了驱动损耗,提高系统整体效率。
    - 湿性边缘选项:NVMFS5C450NWF选项提供了增强的光学检测功能。
    - 认证和PPAP能力:该产品已经通过了AEC-Q101认证,并且具有PPAP能力,确保质量控制。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C450N在许多电子设备中都有广泛的应用,如电机控制、电源转换器、电池管理等。对于需要高效率和紧凑设计的应用,这款MOSFET是一个理想选择。
    使用建议:
    1. 在高电流应用中,考虑散热问题,选择合适的散热器或PCB布局。
    2. 确保电路的接地线尽量短且直接,以减少寄生电感。
    3. 避免超载工作条件,尤其是过高的温度可能会影响器件的长期可靠性。

    兼容性和支持


    NVMFS5C450N适合用于大多数基于Pb-Free标准的PCB组装流程,并且具有良好的与各类电路板和连接器的兼容性。ON Semiconductor公司提供详尽的技术支持文档,包括详细的电气特性和安装指南,帮助用户更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确测量MOSFET的RDS(on)?
    解决方案:在常温下使用万用表或者专用仪器,按照正确的测试条件(例如ID = 50 A)进行测量。
    2. 问题:为什么设备的电流限制比预期要低?
    解决方案:检查外部电路是否有额外的电流限制因素,如保险丝或电阻。确保工作环境满足器件的最大电流要求。

    总结和推荐


    NVMFS5C450N是设计紧凑高效电子设备的理想选择,特别是针对对空间和功耗有严格要求的应用场合。其优异的电气性能、可靠性和紧凑的设计使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和制造商。
    如果您有任何具体需求或技术疑问,欢迎访问ON Semiconductor官方网站或联系我们的技术支持团队获取更多帮助。

NVMFS5C450NAFT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 24A,102A
最大功率耗散 3.6W(Ta),68W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 65µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 23nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C450NAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C450NAFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C450NAFT1G NVMFS5C450NAFT1G数据手册

NVMFS5C450NAFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.2643
500+ ¥ 3.1388
1500+ ¥ 3.0132
3000+ ¥ 2.8877
库存: 1439
起订量: 350 增量: 1500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 32.64
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