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NVTYS004N03CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3mW(Ta),51.5mW(Tc) 2.2V@ 250µA 21nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.2mΩ@ 30A,10V 85A;21A 1.52nF@15V LFPAK-8 贴片安装
供应商型号: CY-NVTYS004N03CLTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTYS004N03CLTWG

NVTYS004N03CLTWG概述

    NVTYS004N03CL MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    NVTYS004N03CL 是一款高性能的单通道 N 沟道 MOSFET,适用于各种电源管理和驱动控制应用。该 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(QG(TOT))和低输出电容(COSS),有助于减少功耗并提高开关效率。产品通过了 AEC-Q101 认证,符合无铅标准及 RoHS 要求。

    2. 技术参数


    - 工作电压: 最大漏源电压 (VDSS) 为 30V。
    - 电流能力: 连续漏电流(ID)在环境温度 (TA) 为 25°C 时为 21A,在环境温度 (TA) 为 100°C 时为 15A;脉冲漏电流 (IDM) 为 369A(持续时间为 10μs)。
    - 功率耗散: 在环境温度 (TA) 为 25°C 时,最大耗散功率 (PD) 为 3W,在环境温度 (TA) 为 100°C 时为 1.6W。
    - 热阻: 结壳热阻 (RJC) 为 2.9°C/W,结到环境热阻 (RJA) 为 47.6°C/W(稳态)。
    - 电气特性: 阈值电压 (VGS(TH)) 在 1.3V 到 2.2V 之间,导通电阻 (RDS(on)) 在 VGS = 10V 时为 3mΩ 至 4.2mΩ,在 VGS = 4.5V 时为 4.7mΩ 至 6.1mΩ。

    3. 产品特点和优势


    - 低 RDS(on):显著降低导通损耗,提升整体能效。
    - 低栅极电荷 (QG(TOT)) 和电容 (CISS/COSS/CRSS):减少开关过程中的能量损失,增强系统的动态响应。
    - AEC-Q101 认证:确保产品在严苛环境下的稳定性和可靠性,适用于汽车及工业级应用。
    - 环保材料:符合无铅标准及 RoHS 要求,易于回收利用,保护环境。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTYS004N03CL 可广泛应用于电源管理、电机驱动、LED 照明系统等场景。例如,在电动汽车充电桩设计中,这款 MOSFET 可用于高效的电流调节,减少发热量,延长设备寿命。
    使用建议:
    - 散热设计:鉴于该 MOSFET 的高功率密度,需设计良好的散热系统以避免过热损坏。
    - 栅极驱动电路:选择合适的栅极电阻(RG),平衡开关速度与能量损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用 LFPAK8 封装,具备广泛的兼容性,适用于多种 PCB 设计。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和专业支持,包括详细的参数验证、应用指南及故障排查资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中 MOSFET 发热严重?
    - A: 确认散热片接触良好且散热路径畅通,可适当增加散热片面积或使用更高效的散热材料。

    - Q: 长期使用后发现 RDS(on) 升高?
    - A: 检查是否因过载或异常条件导致,更换合适的栅极驱动器并优化系统散热。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVTYS004N03CL 是一款性能卓越、可靠性高的 MOSFET,特别适合在高温和高压环境下工作的应用场景。无论是对于追求高效能的汽车电子还是工业控制系统,该产品都是理想的选择。我们强烈推荐用户根据具体应用需求考虑引入该产品。

NVTYS004N03CLTWG参数

参数
最大功率耗散 3mW(Ta),51.5mW(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 85A;21A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 30A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.52nF@15V
栅极电荷 21nC@ 10 V
配置 -
通用封装 LFPAK-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTYS004N03CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTYS004N03CLTWG数据手册

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NVTYS004N03CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3493 ¥ 3.006
500+ $ 0.346 ¥ 2.9787
1000+ $ 0.3363 ¥ 2.8421
5000+ $ 0.3363 ¥ 2.8421
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