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FDD8882

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 55W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 33nC@ 10V 1个N沟道 30V 11.5mΩ@ 35A,10V 12.6A,55A 1.26nF@15V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FL-FDD8882
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD8882

FDD8882概述

    FDD8882/FDU8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET

    产品简介


    FDD8882/FDU8882 是一款由 Fairchild Semiconductor 设计的 N-Channel PowerTrench® MOSFET,专为提高直流-直流转换器的效率而设计。它支持同步或传统的开关 PWM 控制器,具备低栅极电荷、低导通电阻(rDS(ON))和快速开关速度的特点。这两种型号分别采用 I-PAK 和 D-PAK 封装形式,适用于广泛的电子设备应用领域。

    技术参数


    FDD8882/FDU8882 的主要技术参数如下:
    - 电压范围:最大漏源电压(VDSS)为 30V
    - 电流能力:连续工作时,最大漏极电流(ID)为 55A,对应 25°C 时,ID 为 35A
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V 时,rDS(ON) = 11.5mΩ (ID = 35A)
    - VGS = 4.5V 时,rDS(ON) = 15mΩ (ID = 35A)
    - 功率耗散:最大功率耗散(PD)为 55W,超过 25°C 时,每增加 1°C 功率耗散减少 0.37W
    - 热阻:
    - 结至外壳(RθJC):2.73°C/W
    - 结至环境(RθJA):100°C/W(含铜面积)
    - 结至环境(RθJA):52°C/W(含 1in² 铜面积)
    - 封装和订单信息:
    - FDD8882:采用 TO-252AA 封装,单个管芯上最多可装 2500 个单元
    - FDU8882:采用 TO-251AA 封装,单个管芯上最多可装 75 个单元

    产品特点和优势


    1. 高导通性能:采用了先进的沟槽技术,确保极低的 rDS(ON),从而提升系统整体效率。
    2. 低栅极电荷:降低驱动功耗,改善开关性能。
    3. 高可靠性:经过严格的耐压测试,可承受高达 30V 的 VDSS,单脉冲雪崩能量高达 41mJ。
    4. 快速开关:具有优异的开关特性,能够实现高速开关操作,适合高频应用场合。
    5. 适用广泛:支持多种封装形式,便于安装在不同类型的电路板上,适用于广泛的电子设备。

    应用案例和使用建议


    FDD8882/FDU8882 主要应用于直流-直流转换器中,尤其是在需要高效能转换的应用中表现突出。例如,在电池管理系统、服务器电源、通信设备等领域有广泛应用。对于具体应用,建议如下:
    - 散热设计:由于 MOSFET 在工作时会产生大量热量,需要合理规划散热路径,避免过热导致性能下降。
    - 驱动电路设计:建议采用合适的驱动电路,以确保 MOSFET 能够快速、准确地响应控制信号。
    - 并联使用:如果需要更高的电流处理能力,可以考虑将多个 MOSFET 并联使用,但需注意均匀分配电流。

    兼容性和支持


    FDD8882/FDU8882 具备良好的兼容性,能够与其他标准电子元器件无缝配合使用。此外,Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够顺利地将产品集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:
    - 解决方法:增强散热措施,如增加散热片、改进散热路径等。
    2. 开关损耗过高:
    - 解决方法:优化驱动电路,降低栅极电荷。
    3. 导通电阻不稳定:
    - 解决方法:确保工作温度和 VGS 电压处于规定范围内,减少外部干扰。

    总结和推荐


    FDD8882/FDU8882 是一款集高性能、低功耗、高可靠性和宽适用范围于一身的 N-Channel PowerTrench® MOSFET,非常适合应用于直流-直流转换器及类似高效率需求的场合。凭借其出色的特性和广泛的适用范围,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和稳定性的电子系统中。

FDD8882参数

参数
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 11.5mΩ@ 35A,10V
栅极电荷 33nC@ 10V
最大功率耗散 55W(Tc)
Id-连续漏极电流 12.6A,55A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.26nF@15V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD8882厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD8882数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD8882 FDD8882数据手册

FDD8882封装设计

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