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FQPF9N50CF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=500 V, 9 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: CY-FQPF9N50CF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF9N50CF

FQPF9N50CF概述


    产品简介


    FQPF9N50CF N-Channel QFET® FRFET® MOSFET
    FQPF9N50CF是一款来自ON Semiconductor的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了Fairchild Semiconductor专有的平面条纹技术和双扩散MOS技术(DMOS),具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。FQPF9N50CF适用于多种应用,包括开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压:500 V
    - 连续漏电流:9 A(在25°C时),5.4 A(在100°C时)
    - 脉冲漏电流:36 A(注1)
    - 电流参数
    - 栅源电压:± 30 V
    - 单次脉冲雪崩能量:360 mJ
    - 雪崩电流:9 A
    - 重复雪崩能量:4.4 mJ
    - 动态参数
    - 栅漏电荷:28 nC(典型值)
    - 输入电容:790 pF(典型值)
    - 输出电容:130 pF(典型值)
    - 反向传输电容:24 pF(典型值)
    - 热参数
    - 热阻,结到外壳:2.86°C/W
    - 热阻,结到环境:62.5°C/W
    - 其他参数
    - 最大功耗:44 W(在25°C时)
    - 存储温度范围:-55°C至+150°C
    - 焊料温度:300°C(引脚距外壳1/8英寸,持续5秒)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on)的最大值仅为850 mΩ(在VGS = 10 V,ID = 4.5 A时)。
    2. 低栅电荷:典型值为28 nC,有助于提高效率并减少开关损耗。
    3. 快速恢复二极管:典型恢复时间为100 ns,适用于高频应用。
    4. 高雪崩能力:能承受高达360 mJ的雪崩能量,保证高可靠性。
    5. 高温稳定性:其性能在广泛的温度范围内保持稳定,适用于恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:FQPF9N50CF适用于开关电源的设计,例如用于直流-直流转换器、AC-DC转换器等。
    2. 有源功率因数校正(PFC):该器件能够有效地提升系统的功率因数,适用于工业及消费电子产品中。
    3. 电子灯镇流器:FQPF9N50CF在高频逆变器和电子镇流器中的应用非常广泛,能够显著提高灯具的效率和寿命。
    使用建议
    1. 散热管理:由于其较高的热阻,确保良好的散热设计至关重要,以防止器件过热。
    2. 驱动电路设计:考虑使用低电荷驱动器来降低开关损耗。
    3. 选择合适的封装:根据应用要求选择合适的封装形式,如TO-220F封装适合大多数标准应用。

    兼容性和支持


    FQPF9N50CF可与其他电子元器件和系统无缝集成。ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括详细的文档和在线资源。此外,客户可以联系ON Semiconductor的技术支持团队获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:过高的工作温度导致器件失效。
    解决方案:检查散热设计是否合理,确保足够的冷却措施。可以考虑使用散热片或其他散热方式来降低温度。
    问题2:在高频应用中出现异常损耗。
    解决方案:优化驱动电路设计,选择低电荷驱动器,以减少开关损耗。
    问题3:器件工作不稳定,时而正常时而失效。
    解决方案:检查电源电压波动情况,确保稳定供电。同时确认PCB布局是否合理,以避免寄生效应影响器件性能。

    总结和推荐


    FQPF9N50CF凭借其出色的导通电阻、低栅电荷和高可靠性,在各种电力电子应用中表现出色。其宽广的工作温度范围和优异的性能使其成为开关电源、PFC和电子镇流器等领域的理想选择。我们强烈推荐该器件用于需要高性能和高可靠性的电力电子应用。

FQPF9N50CF参数

参数
最大功率耗散 44W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 9A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.03nF@25V
栅极电荷 35nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 4.5A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FQPF9N50CF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF9N50CF数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF9N50CF FQPF9N50CF数据手册

FQPF9N50CF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5843 ¥ 5.028
300+ $ 0.5789 ¥ 4.9827
500+ $ 0.5736 ¥ 4.9374
1000+ $ 0.5575 ¥ 4.7109
5000+ $ 0.5575 ¥ 4.7109
库存: 99250
起订量: 199 增量: 1
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