处理中...

首页  >  产品百科  >  2N7002KT1G

2N7002KT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 380 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-2N7002KT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2N7002KT1G

2N7002KT1G概述


    产品简介


    2N7002K小信号MOSFET是一款适用于多种应用的小型表面贴装晶体管。该器件属于单个N沟道增强型场效应晶体管,采用SOT-23封装形式。其主要特征包括低导通电阻(RDS(on))、ESD保护和符合AEC-Q101标准,适合汽车及其他需要特定现场和控制变更要求的应用。此外,2N7002K具有无铅、无卤素/无BFR及符合RoHS标准的优点。
    主要应用领域包括低侧负载开关、电平转换电路、DC-DC转换器以及便携式电子产品(如数码相机、个人数字助理、手机等)。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS): 60V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 稳态漏极电流(ID): 380mA (TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 5.0A (tp = 10μs)
    - 工作结温范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 管脚温度(TL): 260°C (焊接目的)
    - 电气特性:
    - 截止特性下的漏源击穿电压(V(BR)DSS): 60V (VGS = 0V, ID = 250μA)
    - 零栅压漏极电流(IDSS): TJ = 25°C时为1μA, TJ = 125°C时为10μA
    - 栅源泄漏电流(IGSS): VDS = 0V时, VGS = ±20V时为±10μA
    - 开启特性下的栅阈值电压(VGS(TH)): 1.0V 至 2.3V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): VGS = 10V, ID = 500mA时为1.19Ω至1.6Ω
    - 正向二极管电压(VSD): TJ = 25°C时为0.8V至1.2V

    产品特点和优势


    2N7002K的主要优势在于其低导通电阻(RDS(on)),确保在高电流条件下的效率。同时,其出色的ESD保护功能使其成为要求高度可靠性的应用的理想选择。其表面贴装封装形式方便在PCB上进行自动化组装,提高了生产效率。

    应用案例和使用建议


    在低侧负载开关应用中,2N7002K可以用于电源管理单元,通过控制开关来管理电路中的电流流动。例如,在手机或平板电脑的电池管理系统中,该器件可以帮助精确调节充电和放电过程,提高电池寿命。为了更好地利用这一优势,设计人员可以考虑增加过流保护电路,以进一步提升系统可靠性。

    兼容性和支持


    2N7002K是针对汽车和其他特定应用设计的产品,因此与同系列的其他汽车级组件具有良好兼容性。厂商提供了丰富的技术支持文档和样品,以便客户进行评估和测试。此外,对于大规模生产,可以提供批量定制服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何处理高脉冲电流导致的发热问题?
    - 解决方案: 使用适当的散热片并选择大尺寸的焊盘,有助于提高热耗散能力。

    - 问题: 在高湿度环境下工作时,产品表现不佳。
    - 解决方案: 使用密封剂或其他防水措施,减少湿气对器件的影响。

    总结和推荐


    综上所述,2N7002K小信号MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性以及出色的ESD保护特性,在多个应用领域表现出色。对于需要高电流、低损耗且具备良好耐久性的设计,2N7002K是理想的选择。我们强烈推荐此产品,特别是在便携式设备和汽车电子等领域。

2N7002KT1G参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300mW(Ta)
栅极电荷 0.7nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 24.5pF@20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 320mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 2.9mm*130cm*1mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

2N7002KT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N7002KT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G 2N7002KT1G数据手册

2N7002KT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 0.2353
150+ ¥ 0.1885
500+ ¥ 0.161
3000+ ¥ 0.1349
6000+ ¥ 0.1247
9000+ ¥ 0.1167
库存: 99140
起订量: 50 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 11.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336