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NTMFS4C05NT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 770mW(Ta) 20V 2.2V@ 250µA 14nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 3.4mΩ@ 30A,10V 11.9A 1.972nF@15V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4C05NT3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C05NT3G

NTMFS4C05NT3G概述


    产品简介


    NTMFS4C05N 是一款单片 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SO-8 FL 封装形式。该器件的主要功能是在电源管理和转换过程中减少损耗,特别是在 CPU 供电系统和直流到直流转换器的应用中表现出色。NTMFS4C05N 的设计注重低导通电阻、低栅极电荷和优化的驱动特性,使其在高效率应用中具有显著优势。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):21.7 A(TA=25°C),16.3 A(TA=80°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):174 A(tp=10 μs)
    - 最高结温和存储温度 (TJ, TSTG):−55 至 +150°C
    - 最大工作时间:≤10 s,ID=34.8 A,TA=25°C;ID=26.0 A,TA=80°C
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):2.7 mΩ @ 10 V,3.4 mΩ @ 4.5 V
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):14 nC @ 4.5 V,30 nC @ 10 V
    - 输入电容 (CISS):1972 pF
    - 输出电容 (COSS):1215 pF
    - 反向传输电容 (CRSS):59 pF
    - 开关延迟时间 (td(ON)):8.0 ns @ 10 V
    - 关断延迟时间 (td(OFF)):26 ns @ 10 V

    产品特点和优势


    NTMFS4C05N 具备多种独特功能,如低导通电阻、低栅极电荷、优化的栅极充电和无铅、无卤化物/BFR自由材料的特性,使其在 CPU 供电系统和直流到直流转换器的应用中表现优异。此外,该器件符合 RoHS 标准,使其成为环保型选择。这些特性使其在电力转换应用中具备高效率和低损耗的特点,从而提高整体系统的可靠性和性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTMFS4C05N 广泛应用于 CPU 供电系统和直流到直流转换器。在这些应用中,低导通电阻和低栅极电荷能够有效降低功耗,提升系统效率。例如,在 CPU 供电系统中,该器件能够高效地管理高电流,保证系统的稳定运行。
    使用建议
    1. 散热管理:由于 NTMFS4C05N 具有较高的电流承载能力,因此在高功率应用中需注意良好的散热设计。使用合适的 PCB 布局和散热片可以有效降低温度,避免器件过热。
    2. 驱动电路设计:合理设计栅极驱动电路,选择合适的栅极电阻,以优化开关速度和降低开关损耗。
    3. 热阻管理:了解器件的热阻参数,如 RJA 和 RJC,确保适当的 PCB 布局和散热设计,以实现最佳散热效果。

    兼容性和支持


    NTMFS4C05N 与大多数标准的直流到直流转换器和 CPU 供电系统兼容。ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记和故障排除工具,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下表现不佳
    - 解决方案:通过改善散热设计,如增加散热片和优化 PCB 布局,降低器件的工作温度,提高稳定性。
    2. 问题:器件在高电流下易过热
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,优化驱动电路,以降低开关损耗。同时,注意散热设计,确保器件在安全温度范围内运行。
    3. 问题:器件在高频率下切换时性能下降
    - 解决方案:使用低电容的栅极驱动器,减少寄生电容的影响,优化开关速度和效率。

    总结和推荐


    NTMFS4C05N 在电力转换应用中表现出色,特别是在 CPU 供电系统和直流到直流转换器中。其低导通电阻、低栅极电荷和优化的栅极充电特性使其成为高效率应用的理想选择。此外,该器件的无铅、无卤化物/BFR自由材料特性使其环保可靠。因此,强烈推荐使用 NTMFS4C05N 作为高性能、高效能的电力管理器件。

NTMFS4C05NT3G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.972nF@15V
最大功率耗散 770mW(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4mΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 11.9A
配置 独立式
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTMFS4C05NT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C05NT3G数据手册

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NTMFS4C05NT3G封装设计

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