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FQD4P40TF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),50W(Tc) 30V 5V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个P沟道 400V 3.1Ω@ 1.35A,10V 2.7A 680pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FQD4P40TF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD4P40TF

FQD4P40TF概述


    产品简介


    FQD4P40 / FQU4P40 是由Fairchild Semiconductor生产的一款400V P-Channel增强型功率场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术制造,特别针对低导通电阻、高开关性能及高能量脉冲耐受能力进行了优化设计。这些特性使其非常适合用于互补半桥式电子灯镇流器等领域。

    技术参数


    - 电压参数:
    - VDSS (漏源击穿电压): -400 V
    - VDS (漏源电压): -320 V (额定值)
    - BVDSS (最大漏源电压): -400 V
    - 电流参数:
    - ID (漏极连续电流): -2.7 A (TC=25°C),-1.71 A (TC=100°C)
    - IDM (脉冲漏极电流): -10.8 A (最大值)
    - 静态特性:
    - RDS(on) (导通电阻): 3.1Ω (VGS=-10 V, ID=-1.35 A)
    - Qg (总栅极电荷): 18 nC (VDS=-320 V, ID=-3.5 A, VGS=-10 V)
    - 动态特性:
    - td(on) (开启延时时间): 13 ns (VDD=-200 V, ID=-3.5 A, RG=25 Ω)
    - tr (上升时间): 55 ns (典型值)
    - td(off) (关断延时时间): 35 ns (典型值)
    - tf (下降时间): 37 ns (典型值)
    - 其他参数:
    - Ciss (输入电容): 520 pF (VDS=-25 V, VGS=0 V, f=1.0 MHz)
    - Crss (反向转移电容): 11 pF (典型值)
    - dv/dt (峰值二极管恢复电压率): -4.5 V/ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(on) = 3.1Ω (VGS=-10 V),使得功耗更低,效率更高。
    - 快速开关性能: 快速的上升时间和下降时间,有助于提高电路的整体速度和响应性能。
    - 高可靠性: 支持单脉冲雪崩能高达260 mJ,重复雪崩能达5.0 mJ,确保在高应力条件下的长期可靠运行。
    - 优异的温度稳定性: 具有良好的温度特性,确保在广泛的工作温度范围内性能稳定。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电子灯镇流器: FQD4P40 / FQU4P40特别适用于互补半桥式电子灯镇流器。由于其低导通电阻和高开关频率特性,能够显著提升照明系统的整体性能。
    - 电机控制: 在电机控制应用中,这些MOSFET可以用于驱动电动机,提供高效的电流切换和精确的速度控制。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应注意散热问题,避免因过热而导致器件损坏。可以通过加装散热片或风扇等方式来改善散热效果。
    - 在选择驱动电路时,需要根据负载条件选择合适的栅极电阻,以达到最佳的开关性能和功耗平衡。

    兼容性和支持


    FQD4P40 / FQU4P40 与常见的印刷电路板(PCB)封装兼容,可直接安装到标准的DPAK或I-PAK封装上。Fairchild Semiconductor提供了详细的技术支持文档和产品生命周期管理服务,确保用户能够获得全面的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关延迟时间较长。
    - 解决方法: 尝试降低栅极电阻(RG),从而加快开关速度。

    2. 问题: 高温环境下性能不稳定。
    - 解决方法: 使用散热片或散热器来降低工作温度,保持在安全范围内。
    3. 问题: 雪崩能过高导致损坏。
    - 解决方法: 确保电路设计中有适当的保护措施,如限流电阻和保险丝,防止过高的雪崩能冲击。

    总结和推荐



    总结

    :
    FQD4P40 / FQU4P40是一款高性能的P-Channel MOSFET,具有低导通电阻、快速开关能力和高可靠性等优点。它适用于多种高功率应用场合,尤其是对性能要求严格的电子灯镇流器和电机控制系统。
    推荐:
    强烈推荐在需要高性能和高可靠性的高功率应用中使用FQD4P40 / FQU4P40。结合Fairchild Semiconductor提供的技术支持和保修服务,这款产品将成为您项目成功的重要保障。

FQD4P40TF参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 23nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 2.7A
配置 独立式
最大功率耗散 2.5W(Ta),50W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1Ω@ 1.35A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 680pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 400V
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FQD4P40TF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD4P40TF数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD4P40TF FQD4P40TF数据手册

FQD4P40TF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.6271 ¥ 5.2477
4000+ $ 0.5838 ¥ 4.8856
6000+ $ 0.572 ¥ 4.7869
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型号 价格(含增值税)
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