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FCB20N60FTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 208W(Tc) 30V 5V@ 250µA 98nC@ 10 V 1个N沟道 600V 190mΩ@ 10A,10V 20A 3.08nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: AV-S-FSCFCB20N60FTM
供应商: Avnet
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCB20N60FTM

FCB20N60FTM概述

    FCB20N60F N-Channel SuperFET® FRFET® MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FCB20N60F 是一种高性能的N沟道SuperFET® FRFET® MOSFET,适用于各种高电压和功率转换应用。它采用了超级结(SJ)技术,具备出色的低导通电阻(RDS(on))和较低的栅极电荷(Qg),确保高效能的开关操作。此器件特别适合用于诸如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板显示器(FPD)电视电源、ATX电源和工业电源等多种应用场合。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDSS):600V
    - 漏极连续电流(ID):20A (TC=25°C),12.5A (TC=100°C)
    - 脉冲最大漏极电流(IDM):60A
    - 栅源电压(VGSS):±30V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):690mJ
    - 峰值二极管恢复dv/dt:50V/ns
    - 功率耗散(PD):208W (TC=25°C),超过25°C时每度下降1.67W
    - 热阻参数
    - 热阻(RθJC):0.6°C/W (最大)
    - 热阻(RθJA):铜箔面积最小2oz时为62.5°C/W (最大),铜箔面积1in²时为40°C/W (最大)
    - 典型性能
    - 阈值电压(VGS(th)):3.0V 至 5.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V,ID=10A下为0.15Ω至0.19Ω
    - 栅电荷(Qg):在VDS=480V,ID=20A,VGS=10V条件下为75nC至98nC

    3. 产品特点和优势


    - 卓越的低导通电阻(RDS(on)):典型值为150mΩ,有助于减少功率损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):典型值为75nC,保证高效的开关性能。
    - 优化的输出电容:有效输出电容(Cosseff.)为165pF,显著提升系统可靠性。
    - 单脉冲雪崩测试:已通过100%的单脉冲雪崩测试,提高可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保材料制造,满足全球环境保护要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - PFC电路:使用FCB20N60F可以实现高效的功率因数校正,提高能源效率。
    - 服务器/电信电源:通过FCB20N60F的高效率和可靠性能,确保数据中心和通信网络的稳定运行。
    - 平板显示器电视电源:使用FCB20N60F可以提高电视电源的效率和可靠性。
    - ATX电源:在台式计算机电源中使用FCB20N60F,以提升整体性能。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热设计,确保温度不超过150°C。
    - 可采用较大面积的铜箔散热器以降低热阻。
    - 配合使用适当的驱动电路,确保栅极电荷正确施加。

    5. 兼容性和支持


    - 封装和订货信息:
    - 封装型号:FCB20N60FTM
    - 包装:D2-PAK
    - 订购数量:每个卷800个
    - 技术支持:
    - 厂商提供详尽的技术手册和支持文档,包括电气特性和热管理指南。
    - 推荐客户通过ON Semiconductor官方网站获取最新的更新和技术支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何计算最佳栅极电阻(RG)?
    - 解决方案:参考手册中的门限电压(VGS(th))和驱动条件,选择合适的RG值。通常需要通过实验调整以达到最佳效果。
    - 问题:如何确定最高结温(TJ)?
    - 解决方案:参考热阻参数RθJC和RθJA,并结合实际应用环境进行计算。确保温度不超过150°C,以避免器件损坏。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FCB20N60F N-Channel SuperFET® FRFET® MOSFET 在高电压和功率转换应用中表现出色。其卓越的低导通电阻和超低栅极电荷使其成为众多关键应用的理想选择。对于需要高效能、高可靠性的设计,强烈推荐使用FCB20N60F。ON Semiconductor 提供了全面的技术支持和详细的文档,帮助用户顺利完成项目开发。

FCB20N60FTM参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.08nF@25V
最大功率耗散 208W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10A,10V
栅极电荷 98nC@ 10 V
通道数量 1
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FCB20N60FTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCB20N60FTM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCB20N60FTM FCB20N60FTM数据手册

FCB20N60FTM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 2.2034 ¥ 19.5003
2400+ $ 2.1838 ¥ 19.3262
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