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NTMFS4C06NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 69 A, SO-8FL封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: NTMFS4C06NT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C06NT1G

NTMFS4C06NT1G概述

    NTMFS4C06N MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    NTMFS4C06N是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement MOSFET),采用SO-8封装形式。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度特性,特别适合用于CPU电源管理、DC-DC转换器等应用场合。它采用了无铅、无卤素和无BFR设计,并符合RoHS标准。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 20.0 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 2.55 | W |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 476 | A |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | 1.0 | µA |
    | 栅源漏极电压击穿 | V(BR)DSS | 30 | V |
    | 栅源击穿电压 | V(BR)DSSt | 34 | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | ±100 | nA |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 1.3 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 3.2 (10 V) | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 1683 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 841 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 40 | pF |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | 11.6 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)低至4.0 mΩ(@10V),极大减少了传导损耗。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷仅为11.6 nC,降低了驱动器损耗。
    - 快速开关特性:快速的上升和下降时间(tr/fall < 3.0 ns)使其非常适合高频应用。
    - 可靠性:这些器件完全符合无铅、无卤素和RoHS标准,适用于现代绿色电子设备。

    4. 应用案例和使用建议


    - CPU电源管理:可以用于提高服务器、工作站等高性能计算系统的能效。
    - DC-DC转换器:提供高效转换,在电源适配器和电信设备中广泛应用。
    - 其他应用:可用于电机控制、通信设备等需要高效功率管理的领域。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时需注意散热设计,以确保长期可靠运行。
    - 选择合适的驱动电路,确保栅极电荷和驱动电流匹配。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品可与市面上常见的SO-8封装的其他电子元器件兼容。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括详尽的电气特性和机械参数文档,以及售后技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度升高时性能下降?
    - 解决方案:通过外接散热片或增加空气流通来降低器件温度。

    - 问题:栅极信号不稳定?
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保栅极电阻(RG)匹配且滤波良好。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTMFS4C06N MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性,成为许多高性能应用的理想选择。其卓越的电气性能和广泛的适用性使其在市场上具备强大的竞争力。建议在高性能计算系统、通信设备和其他需要高效功率管理的应用中考虑使用此产品。

NTMFS4C06NT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ
最大功率耗散 770mW
Id-连续漏极电流 11A,69A
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 26nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.683nF
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS4C06NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C06NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G数据手册

NTMFS4C06NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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6000+ ¥ 1.624
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