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NVTFS5116PLWFTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),21W(Tc) 20V 3V@ 250µA 25nC@ 10 V 1个P沟道 60V 52mΩ@ 7A,10V 6A 1.258nF@25V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: 488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5116PLWFTWG

NVTFS5116PLWFTWG概述

    NVTFS5116PL MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVTFS5116PL 是一种 P 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率应用而设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷,能够有效减少传导损耗和驱动损耗。NVTFS5116PL 在电力转换系统中广泛应用,如通信设备、工业自动化、汽车电子和电源管理等领域。

    技术参数


    - 额定电压:V(DSS) = -60 V
    - 额定电流:I(D) = -14 A(在 25°C 环境温度下)
    - 最大功率耗散:P(D) = 21 W(在 25°C 环境温度下)
    - 热阻:R(J−mb) = 7.2 °C/W(结到安装板的热阻,稳态)
    - 阈值电压范围:V(GS(TH)) = -1 V 到 -3 V
    - 导通电阻:R(DS(on)) = 52 mΩ(在 -10 V 时)
    - 零栅极电压漏电流:I(DSS) = -1 μA(在 25°C 时)
    - 栅极-源极泄漏电流:I(GSS) = -100 nA
    - 输入电容:C(ISS) = 1258 pF
    - 单脉冲雪崩能量:E(AS) = 45 mJ(在 25°C 时)

    产品特点和优势


    1. 紧凑设计:3.3 x 3.3 mm 封装尺寸,适合紧凑型设计。
    2. 低导通电阻:最小化导通损耗。
    3. 低栅极电荷:减小驱动损耗。
    4. 通过 AEC-Q101 认证:适用于汽车应用。
    5. 环保无铅封装:符合 RoHS 标准。
    6. 湿可焊侧翼(Wettable Flanks):提高焊接可靠性。

    应用案例和使用建议


    NVTFS5116PL 主要应用于电源转换模块中。例如,在汽车电源系统中,它可以用于电池管理和发动机控制单元的驱动电路。在工业应用中,该器件可以用于电机控制和电源逆变器。
    - 使用建议:
    - 在高温环境中,应注意散热措施,以确保不超过最高允许温度。
    - 选择合适的驱动电路,避免栅极电压超过最大值,以防止损坏。
    - 确保负载电流不超过额定值,以防止过载。

    兼容性和支持


    NVTFS5116PL 支持多种应用中的其他电子元器件和设备,如驱动器和传感器。厂商提供了详细的技术文档和应用指南,便于用户进行设计和调试。同时,公司还提供电话和邮件技术支持服务,以解决用户可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件在高电流下发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或采用更有效的散热方法,如液冷或风冷。
    - 问题:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:检查驱动电路并优化驱动信号,增加外部栅极电阻。
    - 问题:栅极噪声过大。
    - 解决方案:添加适当的滤波电容,并确保布线合理,减少干扰。

    总结和推荐


    NVTFS5116PL 是一款高性能、高可靠性的 P 通道 MOSFET,特别适合在高电流和高电压环境下工作的应用。其紧凑的设计、低导通电阻和低栅极电荷使其在各种应用中表现出色。无论是汽车电子还是工业自动化领域,NVTFS5116PL 都是理想的选择。强烈推荐给需要高效、可靠的电力转换解决方案的工程师和设计师。

NVTFS5116PLWFTWG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 7A,10V
最大功率耗散 3.2W(Ta),21W(Tc)
栅极电荷 25nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.258nF@25V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5116PLWFTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5116PLWFTWG数据手册

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NVTFS5116PLWFTWG封装设计

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