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NVMJS0D9N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),167W(Tc) 20V 2V@ 190µA 143nC@ 10V 1个N沟道 40V 820μΩ@ 50A,10V 50A,330A 8.862nF@25V LFPAK-8 贴片安装
供应商型号: FL-NVMJS0D9N04CLTWG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMJS0D9N04CLTWG

NVMJS0D9N04CLTWG概述


    产品简介


    NVMJS0D9N04CL 是一款N沟道功率MOSFET器件,适用于紧凑设计的电源应用。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))和小封装(5x6mm)为特色,适用于需要高效能和空间节约的应用场景。由于其优异的电气特性和紧凑的外形尺寸,该产品广泛应用于电信设备、汽车电子、工业自动化以及消费电子等领域。

    技术参数


    以下是NVMJS0D9N04CL的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏极至源极电压(VDSS):40V
    - 栅极至源极电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(Tc=25°C):330A
    - 脉冲漏极电流(Tc=25°C,tp=10μs):900A
    - 功率耗散(Tc=25°C):167W
    - 最高工作温度:175°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):0.82mΩ @ 10V,0.95mΩ @ 4.5V
    - 门阈电压(VGS(TH)):1.2V~2.0V
    - 前向二极管电压(VSD):0.73V~1.2V
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):66nC @ 4.5V,143nC @ 10V
    - 输入电容(CISS):8862pF @ 25V
    - 输出电容(COSS):3328pF
    - 反向传输电容(CRSS):77pF

    产品特点和优势


    NVMJS0D9N04CL具有以下几个显著的特点和优势:
    - 小封装:仅5x6mm,便于安装且节省空间。
    - 低导通电阻:0.82mΩ @ 10V,可以大大降低能耗,减少发热,提高效率。
    - 低驱动损耗:低QG和低栅极电容,使得驱动损耗最小化。
    - 行业标准封装:LFPAK8封装,兼容性好。
    - 认证和能力:符合AEC-Q101标准,PPAP认证,并具备无铅、卤素自由、BFR自由和RoHS认证。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在车载充电器中,NVMJS0D9N04CL用于电池管理系统,实现高效的能源转换。
    - 在通信基站中,该器件用于电源管理单元,提供稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议在使用时保持栅极电压(VGS)在10V以内。
    - 为了避免热失控,建议采用合适的散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 在设计时需考虑漏极电流(ID)和漏极至源极电压(VDSS)的组合,以避免过载。

    兼容性和支持


    NVMJS0D9N04CL采用了LFPAK8封装,这是业界标准封装,具有良好的兼容性。此外,制造商ON Semiconductor提供了全面的技术支持服务,包括热线电话、电子邮件咨询及在线文档资源,以帮助客户更好地利用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定MOSFET的工作温度范围?
    - 解答:查阅手册中的“最大额定值”部分,可以看到MOSFET的最高工作温度为175°C。

    - 问题:在高温环境下,MOSFET的性能是否会受到影响?
    - 解答:是的,MOSFET的导通电阻会随着温度升高而增加。建议通过适当的散热措施来维持稳定性能。

    - 问题:如何正确测量栅极电荷?
    - 解答:参考手册中的“测试条件”,使用特定的测试设备进行精确测量。

    总结和推荐


    总体而言,NVMJS0D9N04CL是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有紧凑的设计、低导通电阻和良好的电气特性。它特别适用于需要高效能和空间节约的应用场景,如通信设备、工业自动化和汽车电子。ON Semiconductor提供的全面支持和服务也使其成为可靠的合作伙伴。综上所述,我强烈推荐此产品用于各种应用场景。

NVMJS0D9N04CLTWG参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 190µA
通道数量 -
栅极电荷 143nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 50A,330A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 820μΩ@ 50A,10V
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.862nF@25V
通用封装 LFPAK-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVMJS0D9N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMJS0D9N04CLTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMJS0D9N04CLTWG NVMJS0D9N04CLTWG数据手册

NVMJS0D9N04CLTWG封装设计

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