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NVTFS4C13NWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),26W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 15.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 9.4mΩ@ 30A,10V 14A 770pF@15V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: FL-NVTFS4C13NWFTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS4C13NWFTAG

NVTFS4C13NWFTAG概述


    产品简介


    NVTFS4C13N 是一款由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道 MOSFET 功率器件。它主要用于电源管理、电机驱动、开关电源和其它电力转换应用中。该器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和低输入电容,这些特性有助于减少导通损耗和驱动损耗,同时优化开关损耗。此外,NVTFS4C13NWF 版本具备湿法侧墙技术,进一步提升了可靠性。该器件通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车和其他需要独特位置和控制变更要求的应用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅极到源极电压 (VGS): ±20 V
    - 漏极到源极电压 (VDSS): 30 V
    - 持续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C 时:14 A
    - TA = 100°C 时:10 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 152 A(持续时间为 10 μs)
    - 工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55°C 到 +175°C
    - 单脉冲漏极到源极雪崩能量 (EAS): 10 mJ
    - 引线焊接温度 (TL): 260°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 30 A 时:7.5 至 9.4 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 12 A 时:11.2 至 14 mΩ
    - 输入电容 (CISS): 770 pF (VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 15 V)
    - 输出电容 (COSS): 443 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 127 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):
    - VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 30 A 时:7.8 nC
    - VGS = 10 V, VDS = 15 V, ID = 30 A 时:15.2 nC

    产品特点和优势


    NVTFS4C13N 系列产品具备多项显著的优势:
    - 低导通电阻:确保在大电流工作条件下具有较低的导通损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷和输入电容:优化开关损耗,使得在高频应用中表现优异。
    - 湿法侧墙技术:提供更好的机械可靠性和焊接质量。
    - AEC-Q101 认证:符合汽车行业标准,适用于严苛的工业和汽车应用。
    - 无铅、无卤素材料:环保且对人体安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVTFS4C13N 常用于功率转换器、逆变器、电机驱动器、直流-直流转换器和开关电源等应用。由于其高效率和高可靠性,它在汽车电子、通信设备和工业自动化领域都有广泛的应用。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑散热措施,避免长时间过载运行导致热损坏。
    - 在进行电路板布局时,应将 MOSFET 尽量靠近负载端,以减小线路电感。
    - 选择合适的栅极驱动电阻 (RG),以平衡开关时间和导通时间。
    - 定期检查和维护,确保器件长期稳定运行。

    兼容性和支持


    NVTFS4C13N 与市面上常见的电路板和工具兼容,适合与多种电子元器件配合使用。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、技术支持热线和论坛。此外,客户还可以通过官网获取最新版本的技术手册和产品更新信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用适当的散热片或风扇来降低工作温度。

    2. 问题:驱动电流不足导致 MOSFET 开关速度慢。
    - 解决方案:使用较低阻值的栅极驱动电阻,以提高驱动电流。
    3. 问题:MOSFET 出现雪崩击穿。
    - 解决方案:在设计时考虑适当的缓冲电路或增加箝位二极管,以保护 MOSFET 不受瞬态高压的影响。

    总结和推荐


    综上所述,NVTFS4C13N 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和低输入电容的特点。其卓越的电气特性和广泛的适用性使其成为电力电子应用的理想选择。尤其是其 AEC-Q101 认证,使其在汽车和工业应用中表现尤为出色。总体来看,我们强烈推荐使用 NVTFS4C13N,特别是在需要高可靠性和高效能的应用场景中。

NVTFS4C13NWFTAG参数

参数
配置 -
最大功率耗散 3W(Ta),26W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 14A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ@ 30A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 770pF@15V
栅极电荷 15.2nC@ 10 V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS4C13NWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS4C13NWFTAG数据手册

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NVTFS4C13NWFTAG封装设计

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