处理中...

首页  >  产品百科  >  FDMD84100

FDMD84100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.1W 20V 4V@ 250µA 16nC@ 10V 2个N沟道 100V 20mΩ@ 7A,10V 7A 980pF@50V 贴片安装 5mm*3.3mm*800μm
供应商型号: FDMD84100
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMD84100

FDMD84100概述

    FDMD84100 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDMD84100 双 N-通道 PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高密度电源转换应用设计。它采用双 N-通道配置,具有极低的导通电阻(rDS(on)),适用于同步整流和负载开关等多种应用场景。该产品体积小巧,采用 3.3x5mm 封装,适合紧凑型设计。

    2. 技术参数


    以下是 FDMD84100 的主要技术参数:
    - 最大导通电阻 (rDS(on)):
    - 在 VGS=10V, ID=7A 时,最大 rDS(on) = 20mΩ
    - 在 VGS=6V, ID=5.5A 时,最大 rDS(on) = 32mΩ
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大漏源电压 (VDS): 100V
    - 最大连续漏电流 (ID): 21A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 121mJ
    - 最大功耗 (PD): 2.1W (TA=25°C)
    - 热阻 (RθJA): 60°C/W (当安装在最小铜垫上)
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 极低导通电阻: FDMD84100 具有非常低的导通电阻,使得在高电流条件下仍能保持高效运行。
    - 紧凑封装: 3.3x5mm 的小尺寸使其适用于空间受限的应用。
    - 优化的热路径: 内置的共同源结构可以减少寄生参数,提高散热效率。
    - 无铅无卤素材料: 符合 RoHS 标准,环保友好。
    - 100% 电压试验: 确保每个产品的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 隔离式直流-直流同步整流: FDMD84100 在这类应用中表现出色,因其能够提供低损耗的切换特性。
    - 共地负载开关: 由于其高电流处理能力,它非常适合用于需要大电流处理的场合。

    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保良好的散热措施以避免过热。
    - 使用合适的栅极驱动器,以确保快速的开关时间并减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: FDMD84100 与现有的 PCB 设计高度兼容,适合各种系统集成。
    - 支持: ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括产品文档、设计指南和样片请求服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下工作时,MOSFET 的导通电阻会增加。
    - 解决方案: 增加外部散热措施,如散热片或风扇,以降低工作温度。
    - 问题: 开关频率过高导致功率损耗增加。
    - 解决方案: 调整驱动电路,选择适当的开关频率以平衡效率和成本。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDMD84100 双 N-通道 PowerTrench® MOSFET 具有出色的性能和广泛的应用范围。其高可靠性和高效能使其成为高密度电源转换应用的理想选择。强烈推荐用于对空间和性能有严格要求的设计中。
    本文档内容可能包含部分 Fairchild 零件号的变化信息,请访问 [ON Semiconductor 官方网站](http://www.onsemi.com) 查看最新的零件编号信息。

FDMD84100参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 980pF@50V
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 2.1W
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 16nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 7A,10V
长*宽*高 5mm*3.3mm*800μm
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDMD84100厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMD84100数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMD84100 FDMD84100数据手册

FDMD84100封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 83.394
6000+ ¥ 80.004
9000+ ¥ 78.648
库存: 6000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 250182
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336