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RFD16N05SM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 72W(Tc) 20V 4V@ 250µA 80nC@ 20V 1个N沟道 50V 47mΩ@ 16A,10V 16A 900pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: RFD16N05SM-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) RFD16N05SM

RFD16N05SM概述

    RFD16N05, RFD16N05SM N-Channel Power MOSFETs 技术手册

    产品简介


    RFD16N05 和 RFD16N05SM 是由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些 MOSFET 采用 MegaFET 工艺制造,这种工艺接近大规模集成电路(LSI)的特征尺寸,使得硅材料得到了最优利用,从而提供了出色的性能。它们主要用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用中,可以直接与集成电路操作。它们的额定电流为 16A,击穿电压为 50V。

    技术参数


    - 额定电流:16A
    - 击穿电压:50V
    - 导通电阻:0.047Ω
    - 温度补偿 PSPICE 模型
    - 峰值电流 vs 脉冲宽度曲线
    - UIS 评级曲线
    - 最大工作温度:175°C
    其他关键参数包括:
    - 最大连续漏极电流:16A
    - 脉冲漏极电流:2A(注意:具体数值取决于脉冲宽度和占空比)
    - 栅极到源极电压范围:±20V
    - 热阻:RθJC = 2.083°C/W;RθJA = 100°C/W

    产品特点和优势


    RFD16N05 和 RFD16N05SM 的显著特点包括:
    - 高效性能:通过先进的 MegaFET 工艺实现优异的性能。
    - 宽温度范围:能够在极端环境下稳定工作,工作温度范围达到 -55°C 至 175°C。
    - 高可靠性:采用了温度补偿的 PSPICE 模型,确保长时间运行的稳定性。
    - 多功能性:适用于多种应用场景,包括开关调节器、开关转换器等。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 通常用于以下应用场景:
    - 开关调节器:提供高效的电源管理。
    - 开关转换器:用于工业控制系统中的信号处理。
    - 电机驱动器:确保电机运行的平稳和高效。
    - 继电器驱动器:在电信和自动化设备中进行电切换控制。
    使用建议:
    - 确保在组装过程中遵循正确的焊接标准,以避免热损伤。
    - 在高温环境下使用时,需适当降低峰值电流以防止过热。

    兼容性和支持


    - 封装类型:支持 TO-251AA 和 TO-252AA 封装。
    - 供应商支持:Fairchild Semiconductor 提供详细的文档和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流条件下出现过热现象。
    - 解决方案:检查电路设计并确保散热措施到位,例如增加散热片或改进散热方案。

    - 问题:长期运行后性能下降。
    - 解决方案:定期检测并更换损坏的 MOSFET,确保系统持续稳定运行。

    总结和推荐


    RFD16N05 和 RFD16N05SM 是高性能的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合于要求高效率和可靠性的应用。它们具有优异的温度适应能力和广泛的兼容性,使其成为许多应用场景的理想选择。强烈推荐使用这些 MOSFET 来提高系统的性能和可靠性。
    希望以上内容能帮助您更好地理解和使用 RFD16N05 和 RFD16N05SM N 沟道功率 MOSFET。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系 Fairchild Semiconductor 的技术支持团队。

RFD16N05SM参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 72W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF@25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 80nC@ 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@ 16A,10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 16A
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

RFD16N05SM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

RFD16N05SM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR RFD16N05SM RFD16N05SM数据手册

RFD16N05SM封装设计

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