处理中...

首页  >  产品百科  >  FQD9N25TM-F085

FQD9N25TM-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),55W(Tc) 30V 5V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 250V 420mΩ@ 3.7A,10V 7.4A 700pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FL-FQD9N25TM-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD9N25TM-F085

FQD9N25TM-F085概述

    FQD9N25TMF085 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQD9N25TMF085 是一款N沟道MOSFET,由Fairchild Semiconductor公司生产。它具有出色的dv/dt能力,可承受高达250V的工作电压,并且在10V条件下,其导通电阻(RDS(on))为0.42Ω。这款MOSFET采用紧凑的表面贴装封装(PAK),适用于广泛的电力转换应用,包括开关电源、电机驱动系统和逆变器等。

    技术参数


    - 重复额定值:脉冲宽度受限于最大结温
    - 最大漏极电流(ID):9.4A
    - 最大漏极-源极电压(VDS):250V
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.42Ω @ 10V
    - 典型输入电容(Ciss):15pF
    - 典型栅极电荷(Qg):15.5nC
    - 开关频率:高速切换
    - 最高工作温度:150°C
    - 封装形式:PAK
    - 尺寸:请参阅技术手册中的详细尺寸图

    产品特点和优势


    1. 出色的dv/dt能力:这款MOSFET具有出色的dv/dt性能,能够快速切换而不发生过电压现象。
    2. 低导通电阻:0.42Ω的低RDS(on)有助于减少功耗并提高效率。
    3. 低栅极电荷:15.5nC的低Qg使得在快速开关应用中表现出色。
    4. 高耐压能力:250V的高VDS使其适用于高电压应用场合。
    5. 可靠性:100%经过雪崩测试,确保在极端条件下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:FQD9N25TMF085 由于其低导通电阻和高耐压能力,在开关电源的应用中表现优异,能够有效减少损耗并提高整体效率。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,这款MOSFET可以用于控制电机的启停和速度调节,确保系统的稳定性和可靠性。
    - 逆变器:作为逆变器的关键组件,FQD9N25TMF085 可以提供高效的功率转换,适合各种工业应用。
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意散热设计,特别是在大电流和高频切换情况下。
    - 确保适当的栅极驱动,以减少栅极电荷损耗。
    - 考虑采用散热片或散热器,以保持工作温度在安全范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQD9N25TMF085 可与其他标准MOSFET及相关的驱动电路兼容。
    - 技术支持:Fairchild Semiconductor提供详尽的技术支持文档和在线资源,确保用户能够顺利使用该产品。同时,公司还提供专业的客户服务和技术支持,帮助解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何降低导通电阻?
    - 解决办法:确保合适的栅极驱动电压和电流,选择适当的栅极电阻。
    - 问题:如何优化散热设计?
    - 解决办法:使用散热片或散热器,并进行详细的热仿真分析。
    - 问题:如何处理电磁干扰?
    - 解决办法:使用滤波器和屏蔽技术来减少电磁干扰。

    总结和推荐


    FQD9N25TMF085 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有出色的dv/dt能力和低导通电阻,非常适合高电压、高电流的电力转换应用。凭借其可靠性和广泛的适用范围,我们强烈推荐此产品给需要高效、稳定电力转换解决方案的工程师和设计师。 Fairchild Semiconductor的产品质量和强大的技术支持,也进一步保证了用户的使用体验和产品的长期可靠性。

FQD9N25TM-F085参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 420mΩ@ 3.7A,10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 7.4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@25V
栅极电荷 20nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 250V
最大功率耗散 2.5W(Ta),55W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

FQD9N25TM-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD9N25TM-F085数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD9N25TM-F085 FQD9N25TM-F085数据手册

FQD9N25TM-F085封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.3414 ¥ 11.3613
库存: 126300
起订量: 445 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 11.36
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336