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NVMFS5C638NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4W(Ta),100W(Tc) 20V 2V@ 250µA 40.7nC@ 10 V 1个N沟道 60V 3mΩ@ 50A,10V 26A,133A 2.88nF@25V SO 贴片安装
供应商型号: 863-NVMFS5C638NLWFT1
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C638NLWFT1G

NVMFS5C638NLWFT1G概述

    # NVMFS5C638NL MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMFS5C638NL 是一款由ON Semiconductor制造的单个N通道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具备高效率和紧凑设计的特点,广泛应用于电源管理、电机控制和汽车电子等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = 60 V
    - 栅源电压:VGS = ±20 V
    - 持续漏极电流(稳态):
    - TC = 25°C 时,ID = 133 A
    - TC = 100°C 时,ID = 94 A
    - 功率耗散(稳态):
    - TC = 25°C 时,PD = 100 W
    - TC = 100°C 时,PD = 50 W
    - 脉冲漏极电流(TA = 25°C,tp = 10 μs):IDM = 811 A
    - 运行结温及存储温度:TJ, Tstg = -55 至 +175°C
    电气特性
    - 断开状态下漏源电压:V(BR)DSS = 60 V(VGS = 0 V,ID = 250 μA)
    - 栅泄漏电流:IGSS = 100 nA(VDS = 0 V,VGS = 20 V)
    - 栅阈电压:VGS(TH) = 1.2 - 2.0 V(VGS = VDS,ID = 250 μA)
    - 导通状态下漏源电阻:
    - VGS = 10 V,ID = 50 A 时,RDS(on) = 2.6 - 3.0 mΩ
    - VGS = 4.5 V,ID = 50 A 时,RDS(on) = 3.6 - 4.2 mΩ
    - 输入电容:CISS = 2880 pF(VGS = 0 V,f = 1 MHz,VDS = 25 V)
    - 输出电容:COSS = 1680 pF
    - 反向转移电容:CRSS = 22 pF
    - 总栅电荷:
    - VGS = 4.5 V,VDS = 48 V;ID = 50 A 时,QG(TOT) = 18.4 nC
    - VGS = 10 V,VDS = 48 V;ID = 50 A 时,QG(TOT) = 40.7 nC
    - 开启延时时间:td(ON) = 15 ns(VGS = 10 V,VDS = 48 V;ID = 50 A;RG = 1 Ω)
    - 上升时间:tr = 58 ns
    - 关断延时时间:td(OFF) = 66 ns
    - 下降时间:tf = 96 ns

    产品特点和优势


    - 紧凑封装:5x6 mm 尺寸,适用于紧凑设计。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 3.0 mΩ @ 10 V,有助于减少导通损耗。
    - 低栅电荷和电容:降低驱动损耗。
    - 湿法侧翼选项:提供 NVMFS5C638NLWF,增强光学检测。
    - 汽车级认证:符合 AEC-Q101 和 PPAP 要求。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:环保且健康安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:用于各种开关电源转换器,如DC-DC转换器。
    - 电机控制:用于驱动电机系统,以提高效率和可靠性。
    - 汽车电子:可用于车载充电器和其他电力系统。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的热管理设计,使用适当的散热片或散热器,避免过热。
    - 正确选择栅极驱动器:根据应用需求选择合适的栅极电阻,以优化开关时间和能效。
    - 防浪涌保护:在应用中加入适当的保护电路,防止意外高压脉冲损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准 PCB 设计兼容,适合多种不同的应用板。
    - 支持和维护:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户在设计和调试过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查栅极电压是否达到阈值,调整栅极电阻以优化驱动。
    2. 问题:高温下性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,例如加装散热片或使用更好的热界面材料。
    3. 问题:栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:检查驱动信号的质量和频率,确认是否符合器件要求。

    总结和推荐


    NVMFS5C638NL MOSFET 在性能、可靠性和适用性方面表现出色。其紧凑的尺寸、低导通电阻和良好的电气特性使其成为电源管理和电机控制等应用的理想选择。强烈推荐使用此器件,特别是在需要高性能和高可靠性的情况下。如果您需要进一步技术支持,可联系 ON Semiconductor 的技术支持团队获取帮助。

NVMFS5C638NLWFT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.88nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 50A,10V
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 40.7nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 26A,133A
最大功率耗散 4W(Ta),100W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C638NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C638NLWFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G数据手册

NVMFS5C638NLWFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.4845 ¥ 29.444
10+ $ 2.6795 ¥ 22.6418
100+ $ 1.8468 ¥ 15.6055
500+ $ 1.5984 ¥ 13.5065
1500+ $ 1.4595 ¥ 12.3328
库存: 1055
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
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型号 价格(含增值税)
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