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FQD5P10TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),25W(Tc) 30V 4V@ 250µA 8.2nC@ 10 V 1个P沟道 100V 1.05Ω@ 1.8A,10V 3.6A 250pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FQD5P10TM
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD5P10TM

FQD5P10TM概述

    FQD5P10 P-Channel QFET® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQD5P10 是一款 P-Channel 增强模式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ON Semiconductor 使用其特有的平面条纹技术和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制造。这种先进的 MOSFET 技术专为减少导通电阻、提供优异的开关性能和高雪崩能量强度而设计。这些器件适用于多种应用场景,包括开关电源、音频放大器、直流电机控制和变频开关电源等。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅源电压:±30 V
    - 漏源电压:-100 V
    - 连续漏极电流(25°C):-3.6 A
    - 单脉冲雪崩能量:55 mJ
    - 热阻(结到外壳):5.0 °C/W
    - 热阻(结到环境):50 °C/W
    - 电气特性
    - 最大导通电阻(VGS = -10 V, ID = 1.8 A):1.05 Ω
    - 低栅极电荷(典型值):6.3 nC
    - 低 Crss(典型值):18 pF
    - 开关特性(例如,总栅极电荷,典型值):6.3 nC
    - 体二极管的最大连续漏源电流:-3.6 A
    - 最大重复雪崩能量:2.5 mJ

    产品特点和优势


    FQD5P10 MOSFET 具有多项独特功能和优势:
    - 低导通电阻:最大导通电阻仅为 1.05 Ω,这有助于提高效率并降低功耗。
    - 快速开关性能:低栅极电荷和快速开关时间使 FQD5P10 在高频应用中表现出色。
    - 高可靠性:通过全面的雪崩测试,确保器件在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 高雪崩能量强度:能够在恶劣条件下安全工作,适用于需要高可靠性的应用场景。

    应用案例和使用建议


    FQD5P10 MOSFET 广泛应用于多个领域,例如:
    - 开关电源:用于高效能量转换和调节。
    - 音频放大器:提供高质量的音频信号处理。
    - 直流电机控制:实现精准的电机控制。
    - 变频开关电源:适应各种负载需求,提供稳定的输出。
    在实际应用中,建议注意以下几点以优化性能:
    - 散热管理:由于高热阻,需要良好的散热措施,如散热片或散热风扇。
    - 合适的栅极驱动:选用合适的栅极驱动器以确保快速开关。
    - 保护电路:在实际应用中添加必要的保护电路,如过压保护和过流保护。

    兼容性和支持


    FQD5P10 与其他标准 D-PAK 封装的 MOSFET 兼容,可轻松替换。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线应用指南和客户服务热线。此外,还提供丰富的软件工具和开发资源,帮助客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题:器件在高温下出现性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,如增加散热片或采用更高效的冷却系统。
    - 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:确保栅极驱动器正确配置,并适当调整栅极电阻。
    - 问题:输出电压波动
    - 解决方案:检查电源和接地连接,确保稳定供电。

    总结和推荐


    综上所述,FQD5P10 P-Channel QFET® MOSFET 以其低导通电阻、快速开关性能和高可靠性,在多种应用中展现出显著的优势。适用于要求高性能和高可靠性的场合。强烈推荐使用此器件,特别是在开关电源、音频放大器和其他高要求的应用环境中。如果您需要进一步的帮助,ON Semiconductor 提供专业的技术支持,可随时为您提供帮助。

FQD5P10TM参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 1.8A,10V
通道数量 1
栅极电荷 8.2nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 250pF@25V
Id-连续漏极电流 3.6A
配置 独立式
最大功率耗散 2.5W(Ta),25W(Tc)
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FQD5P10TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD5P10TM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD5P10TM FQD5P10TM数据手册

FQD5P10TM封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.3575
5000+ ¥ 2.2755
10000+ ¥ 2.2345
20000+ ¥ 2.214
库存: 10000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 5893.75
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型号 价格(含增值税)
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