处理中...

首页  >  产品百科  >  NVD5414NT4G

NVD5414NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 55W(Tc) 20V 4V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 60V 37mΩ@ 24A,10V 24A 1.2nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: SEU-NVD5414NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5414NT4G

NVD5414NT4G概述

    电子元器件产品技术手册:NTD5414N/NVD5414N Power MOSFET

    产品简介


    NTD5414N/NVD5414N 是一款高性能的单片 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Semiconductor Components Industries 设计制造。该产品广泛应用于高电流处理和高效能转换的场景,例如 LED 照明、LED 背光驱动、直流-直流转换器、直流电机驱动和电源同步整流等。这款器件具备低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力以及高抗雪崩能力的特点,是电力电子领域中理想的选择。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDSS | 60 | V |
    | 栅源电压(连续) | VGS | ±20 | V |
    | 栅源电压(非重复性) | VGS | ±30 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 24 / 16 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 75 | A |
    | 热阻抗 | RJC | 2.7 | °C/W |
    | 最大工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 ~ +175 | °C |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 86.4 | mJ |
    电气特性:
    - 导通电阻:28.4 至 37 mΩ @ VGS = 10 V,ID = 24 A
    - 输入电容:800 至 1200 pF @ VDS = 25 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz
    - 开关时间:td(on) = 12 ns,tr = 58 ns,td(off) = 47 ns,tf = 69 ns
    其他参数:
    - 封装类型:DPAK(单引脚)
    - Pb-Free 和 RoHS 兼容

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 低至 28.4 mΩ,提供卓越的效率和更低的功耗。
    2. 高可靠性:雪崩能量高达 86.4 mJ,可承受强电流冲击。
    3. 高电流承载能力:最大漏极连续电流可达 24 A,适合高功率应用。
    4. 支持恶劣环境:工作温度范围为 -55 至 +175°C,适用于严苛条件。
    5. 绿色环保:无铅且符合 RoHS 标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - LED 驱动器:用于 LED 背光和照明系统中,提供高效的电流控制。
    - DC-DC 转换器:适合作为高效开关器件,提高能源利用率。
    - 直流电机驱动:提供高电流处理能力,确保稳定的电机运行。
    使用建议:
    - 在设计时,确保 PCB 布局合理以降低热阻,同时选择适当的栅极电阻以优化开关性能。
    - 对于高频应用,建议在电路中加入电容滤波器以减少噪声干扰。
    - 注意温度监控,避免过热情况发生。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持主流 PCB 尺寸,与多种主控芯片和电路板兼容。
    - 可直接替换市场上常见的同类型功率 MOSFET。
    支持:
    - 提供完整的 AEC-Q101 资质认证,适用于汽车及工业级应用。
    - ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重
    - 解决方法:检查电路设计是否合理,适当增大散热面积,优化散热路径。

    2. 问题:开关速度慢
    - 解决方法:检查栅极电阻值是否合适,调整至建议范围(通常为 9.1 Ω)。
    3. 问题:输出电流不足
    - 解决方法:验证电路参数,确保驱动电压满足要求,必要时更换更高额定电流的产品。

    总结和推荐


    综合评估:
    NTD5414N/NVD5414N 功率 MOSFET 是一款性能优越的电子元件,尤其适合需要高效、高可靠性的场合。其低导通电阻、高雪崩能量和宽工作温度范围使其成为多种领域的优选。
    推荐:
    强烈推荐此产品用于高功率需求的电力电子设计中,特别是在 LED 照明、电机驱动和电源管理等领域。购买前请根据具体应用场景进行选型和测试,确保最佳效果。
    结束语:
    ON Semiconductor 的 NTD5414N/NVD5414N 以其卓越的性能和可靠性,为现代电力电子设计提供了坚实的基础。结合详细的用户手册和技术支持,用户可以轻松集成并优化产品性能。

    欲了解更多详情,请访问 [ON Semiconductor 官方网站](http://onsemi.com) 或联系技术支持团队。

NVD5414NT4G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 37mΩ@ 24A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 55W(Tc)
栅极电荷 48nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 -
Id-连续漏极电流 24A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@25V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVD5414NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5414NT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5414NT4G NVD5414NT4G数据手册

NVD5414NT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 40
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336