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FDMS3604S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.2W@ Q 1,2.5W@ Q 2 20V 2.7V@ 250µA 29nC@ 10V 2个N沟道 30V 8mΩ@ 13A,10V 13A,23A 1.785nF@15V 贴片安装
供应商型号: CY-FDMS3604S
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS3604S

FDMS3604S概述

    FDMS3604S MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®, Power Stage, Asymmetric Dual

    产品简介


    FDMS3604S 是一款集成两个专门设计的N沟道MOSFET的双PQFN封装产品。此器件通过内部连接开关节点(PHASE),便于同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET (Q1) 和同步SyncFET™ (Q2) 经过优化设计,以提供最佳功率效率。适用于计算、通信、通用点负载及笔记本VCORE等多个领域。

    技术参数


    | 参数 | Q1 (N-Channel) | Q2 (N-Channel) |
    |
    | 最大 rDS(on) | 8 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 13 A
    11 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 11 A | 2.6 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 23 A
    3.5 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 21 A |
    | 最大 VDS | 30 V | 30 V |
    | 最大 VGS | ±20 V | ±20 V |
    | 额定 ID | 40 A | 130 A |
    | 功耗 | 2.2 W @ 25°C (单次操作)
    1.0 W @ 25°C (连续操作) | 2.5 W @ 25°C (单次操作)
    1.0 W @ 25°C (连续操作) |
    | 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C | -55°C 至 +150°C |
    | 热阻 | RθJA = 57°C/W
    RθJC = 3.5°C/W | RθJA = 50°C/W
    RθJC = 2°C/W |

    产品特点和优势


    1. 高效率: MOSFET集成优化布局,减少电路电感并降低开关节点振铃。
    2. 低电感封装: 缩短上升/下降时间,减少开关损耗。
    3. Pb-free, RoHS compliant: 环保材料。
    4. 高可靠性: 设计保证最大功耗、热阻等关键参数。
    5. 优化布局: 提供具体PCB布局建议,以提高性能和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    FDMS3604S广泛应用于计算、通讯和电源管理等领域,尤其适合于笔记本电脑VCORE的转换器中。
    使用建议:
    - 输入陶瓷旁路电容应靠近D1和S2引脚,以减少寄生电感和高频传导损耗。
    - PHASE铜轨既作为电流路径又作为散热路径,应设计为短而宽,以降低电阻。
    - 输出电感应尽可能靠近Power Stage,缩短PHASE轨迹到电感的距离,减少传导损耗。
    - 建议使用紧凑的驱动IC设计以减少寄生电感和电阻的影响。

    兼容性和支持


    该器件与其他标准电子元件兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,涵盖产品选择、使用和故障排除等方面的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: MOSFET在高电流下工作时温度过高怎么办?
    - A: 参考热阻参数,调整散热设计,增加散热片或使用更大的散热器。
    2. Q: 如何改善同步换向电路的性能?
    - A: 优化PCB布局,确保输入电容、输出电感和驱动IC均紧密连接,减少寄生电感。
    3. Q: 高频操作下的开关损耗如何最小化?
    - A: 减少PCB上的寄生电感和电阻,使用更短且宽的信号路径,优化驱动IC的布局。

    总结和推荐


    FDMS3604S是一款高性能的N沟道MOSFET,具备高效、可靠、环保的特点,适用于多种电子设备。其独特的设计优化了性能并简化了PCB布局,使其成为市场上极具竞争力的产品。因此,强烈推荐用于需要高效功率转换的应用场合。

FDMS3604S参数

参数
通道数量 2
栅极电荷 29nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V@ 250µA
Id-连续漏极电流 13A,23A
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 13A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.785nF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
配置
最大功率耗散 2.2W@ Q 1,2.5W@ Q 2
5.1mm(Max)
6.25mm(Max)
1.05mm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS3604S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS3604S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS3604S FDMS3604S数据手册

FDMS3604S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5053 ¥ 4.3485
300+ $ 0.5007 ¥ 4.3093
500+ $ 0.4961 ¥ 4.2701
1000+ $ 0.4822 ¥ 4.0743
5000+ $ 0.4822 ¥ 4.0743
库存: 220029
起订量: 230 增量: 1
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