处理中...

首页  >  产品百科  >  FDW2504P

FDW2504P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1W 12V 1.5V@ 250µA 16nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 43mΩ@ 3.8A,4.5V 3.8A 1.03nF@10V TSSOP-8 贴片安装 4.4mm*3mm*1mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDW2504P

FDW2504P概述

    FDW2504P P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDW2504P 是由 Fairchild Semiconductor 推出的一款高性能双 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门用于功率管理应用。这款 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造,具备低导通电阻和宽范围的门驱动电压(2.5V 至 12V)。适用于负载开关、电机驱动、直流到直流转换和电源管理等领域。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压 (VDS): -20V
    - 栅源电压 (VGS): ±12V
    - 持续漏极电流 (ID): -3.8A
    - 脉冲漏极电流 (ID): -30A
    - 最大功率耗散 (PD): 1.0W (1英寸²铜垫);0.6W (最小铜垫)
    - 操作和存储结温范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 击穿电压 (BVDSS): -20V
    - 栅源漏漏电 (IGSSF, IGSSR): -100nA, 100nA
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = -4.5V, ID = -3.8A: 0.043Ω
    - VGS = -2.5V, ID = -3.0A: 0.070Ω
    - 门阈值电压 (VGS(th)): -0.6V 至 -1.5V
    - 转导系数 (gFS): 13.2S
    - 输入电容 (Ciss): 1030pF
    - 输出电容 (Coss): 280pF
    - 反向转移电容 (Crss): 120pF
    - 开关延迟时间 (td(on), td(off)): 11ns, 34ns
    - 开关上升时间 (tr), 下降时间 (tf): 18ns, 34ns
    - 总栅电荷 (Qg): 9.7nC

    产品特点和优势


    FDW2504P 的主要特点是其高可靠性和高效的功率管理能力。它具有较低的导通电阻(RDS(ON)),适合于各种高压应用场景。此外,它支持宽范围的门驱动电压,使其在电池应用中表现出色。其紧凑的 TSSOP-8 封装也方便了设计集成。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:可以高效地控制电路中的负载,确保系统的稳定运行。
    - 电机驱动:通过精确控制电机的电源,实现电机的高效运转。
    - 直流到直流转换:适合各种电力转换应用,提高系统的能效。
    - 电源管理:适用于各种电源管理系统,提高系统的可靠性。

    兼容性和支持


    FDW2504P 支持与各类标准的电源系统和控制器进行接口。Fairchild Semiconductor 提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用其潜力。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热。
    - 解决方法:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇辅助散热。
    - 问题:栅极损坏。
    - 解决方法:检查外部电路设计,确保正确的门驱动信号。

    总结和推荐


    FDW2504P 在功率管理和电源转换应用中表现出色,具有出色的导通电阻和广泛的应用范围。我们强烈推荐将其应用于需要高效、可靠功率管理的场合。无论是负载开关还是电机驱动,FDW2504P 都是一个值得信赖的选择。

FDW2504P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.03nF@10V
Id-连续漏极电流 3.8A
通道数量 2
最大功率耗散 1W
配置
FET类型 2个P沟道
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@ 3.8A,4.5V
栅极电荷 16nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 4.4mm*3mm*1mm
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDW2504P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDW2504P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDW2504P FDW2504P数据手册

FDW2504P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336