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NTD4965NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.39W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 17.2nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4.7mΩ@ 30A,10V 13A,68A 1.71nF@15V DPAK-3 贴片安装
供应商型号: FL-NTD4965NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4965NT4G

NTD4965NT4G概述

    NTD4965N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4965N 是一款单个 N 沟道功率 MOSFET,采用 DPAK 和 IPAK 封装。它主要应用于 CPU 电源管理及 DC-DC 转换器。该器件具有低导通电阻(RDS(on))以最小化传导损耗,低电容以减少驱动损耗,以及优化的栅极电荷以减少开关损耗。此外,它还提供三种封装形式,以增加设计灵活性。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDSS = 30 V
    - 最大栅极电压:VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流:TA = 25°C 下为 17.8 A;TA = 100°C 下为 12.6 A
    - 最大漏极功耗:TA = 25°C 下为 2.6 W;TA = 100°C 下为 1.39 W
    - 脉冲漏极电流:tp=10μs 下为 248 A
    - 存储温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 +175°C
    - 零栅极电压漏极电流:IDSS = 1.0 μA(TJ = 25°C),10 μA(TJ = 125°C)
    - 门极至源极泄漏电流:IGSS = ±100 nA
    - 门限电压:VGS(TH) = 1.5 V 至 2.5 V
    - 导通电阻:VGS = 10 V 下 RDS(on) = 4.7 mΩ,VGS = 4.5 V 下 RDS(on) = 10 mΩ
    - 输入电容:CISS = 1710 pF
    - 输出电容:COSS = 664 pF
    - 反向传输电容:CRSS = 340 pF
    - 总栅极电荷:QG(TOT) = 28.2 nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 td(ON) = 8.3 ns
    - 上升时间 tr = 21.5 ns
    - 关闭延迟时间 td(OFF) = 24.4 ns
    - 下降时间 tf = 7.8 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:显著降低传导损耗。
    - 低电容:减少驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷:减小开关损耗。
    - 多种封装选择:增强设计灵活性。
    - 环保特性:无铅、卤素/溴化物自由、RoHS 合规。

    4. 应用案例和使用建议


    - CPU 电源管理:利用低导通电阻和低电容特性,实现高效的电源转换。
    - DC-DC 转换器:适合于各种高效率要求的应用。
    - 使用建议:
    - 在高频率应用中,优化栅极电荷和电容,可以提高效率。
    - 确保散热设计符合功率耗散的要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 DPAK 和 IPAK 引脚配置完全兼容。
    - 支持和服务:供应商提供了详细的技术文档、封装尺寸信息及在线支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定最大电流?
    - 解决方案:查看电气特性表中的连续漏极电流,确保不超过 17.8 A。
    - 问题二:如何保证散热?
    - 解决方案:根据热阻抗表进行合理的散热设计,确保工作温度不超出 -55°C 到 +175°C 的范围。
    - 问题三:如何优化开关特性?
    - 解决方案:调整栅极电阻(RG)并考虑合适的驱动电路。

    7. 总结和推荐


    NTD4965N 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷等特点。非常适合 CPU 电源管理和 DC-DC 转换器应用。其环保特性也使其在现代电子设计中具有很大的吸引力。强烈推荐用于需要高效、稳定电源解决方案的应用场合。

NTD4965NT4G参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.7mΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 13A,68A
最大功率耗散 1.39W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 17.2nC@ 4.5 V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.71nF@15V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTD4965NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4965NT4G数据手册

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NTD4965NT4G封装设计

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