处理中...

首页  >  产品百科  >  HUF75639P3

HUF75639P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UltraFET系列, Vds=100 V, 56 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: WU-HUF75639P3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF75639P3

HUF75639P3概述

    HUF75639系列N-Channel UltraFET Power MOSFET技术手册

    产品简介


    HUF75639系列是ON Semiconductor(现为安森美)制造的一系列高性能N-Channel UltraFET Power MOSFET器件。这些器件采用创新的UltraFET工艺,具有最低的导通电阻(RDS(on)),适用于需要高功率效率的应用场合,如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式或电池供电产品的电源管理。每个型号都经过精心设计以满足特定的应用需求。

    技术参数


    HUF75639系列的具体技术参数如下:
    - 电压范围: 最大漏源电压(VDSS)为100V
    - 电流能力: 连续漏极电流(ID)为56A,脉冲漏极电流(IDM)可达更高值
    - 电阻特性: 导通电阻(RDS(on))在ID = 56A,VGS = 10V条件下典型值为0.021Ω至0.025Ω
    - 封装形式: TO-247、TO-220AB、TO-263AB、TO-262AA
    - 热阻抗: 结至外壳热阻(RθJC)为0.74°C/W,结至环境热阻(RθJA)在不同封装下有所不同
    - 其他参数: 包括输入电容(CISS)、输出电容(COSS)、反向转移电容(CRSS)等,详见手册

    产品特点和优势


    HUF75639系列的独特优势在于其高效的散热能力和超低的导通电阻,能够显著降低电路中的能量损耗,提升整体系统效率。此外,其优良的抗雪崩性能使得其能够在严苛的工作环境中稳定运行。通过仿真模型(PSPICE和SABER),用户可以在多种条件下对器件进行详细模拟和分析,确保最佳性能。

    应用案例和使用建议


    该系列产品广泛应用于各种功率转换应用,例如DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器等。具体使用时,应根据实际工作条件选择合适的封装类型。例如,在高功率密度应用中推荐使用TO-247封装,而在空间受限的应用中则可考虑TO-220AB或TO-263AB封装。同时,需注意保持器件在正常工作温度范围内,避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    HUF75639系列与市面上主流的PCB组装工艺兼容,可以方便地集成到现有的设计中。制造商提供了丰富的技术支持文档和仿真模型,帮助客户更好地理解和使用这些产品。如果在使用过程中遇到任何问题,也可以直接联系制造商获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 高温环境下工作时,如何防止过热?
    - 确保良好的散热设计,例如使用适当的散热片或冷却风扇,并定期监测器件温度。

    2. 如何正确选择合适的封装类型?
    - 考虑应用的具体需求,如功率等级、尺寸限制等因素,然后参考产品手册中的推荐使用建议。

    总结和推荐


    总体而言,HUF75639系列N-Channel UltraFET Power MOSFET在性能、可靠性和易用性方面均表现出色,非常适合用于需要高效能、高可靠性功率转换的应用场合。强烈推荐给需要在紧凑设计中实现高效率电力传输的设计者们。
    以上是对HUF75639系列N-Channel UltraFET Power MOSFET的详细介绍,涵盖了产品特性和优势、适用场景以及使用建议。希望这份技术手册能够帮助您更好地了解和利用这一高性能产品。

HUF75639P3参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 56A
最大功率耗散 200W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 56A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 130nC@ 20 V
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

HUF75639P3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF75639P3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUF75639P3 HUF75639P3数据手册

HUF75639P3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.1089 ¥ 9.3151
库存: 3200
起订量: 430 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 9.31
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336