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FCPF7N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 SuperFET系列, Vds=600 V, 7 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 1095009
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCPF7N60

FCPF7N60概述

    FCPF7N60/FCP7N60 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: FCPF7N60/FCP7N60 是一种N沟道超级结(Super Junction, SJ)MOSFET。
    主要功能: 这种MOSFET 采用电荷平衡技术,具有低导通电阻和低门极电荷的特点。它特别适用于开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、液晶显示(LCD)/发光二极管(LED)/等离子显示器(PDP)电视电源、ATX电源及工业电源应用。
    应用领域: 包括但不限于LCD/LED/PDP电视、太阳能逆变器、交流-直流电源供应等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS (漏源电压) | 600 | - | - | V |
    | ID (漏电流) | - | 7 | 7 | A |
    | IDM (脉冲漏电流) | - | 21 | 21 | A |
    | VGS (栅源电压) | ±30 | - | - | V |
    | EAS (单脉冲雪崩能量) | - | 230 | - | mJ |
    | IAR (雪崩电流) | - | 7 | - | A |
    | EAR (重复雪崩能量) | - | 8.3 | - | mJ |
    | dv/dt (峰值反向恢复电压变化率)| 4.5 | - | - | V/ns |
    | PD (功耗) | 83 | - | - | W |
    | TJ, TSTG (操作温度范围)| -55 | 150 | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 高电压耐受性: 在TJ=150°C时仍可承受650V的电压。
    - 低导通电阻: 静态漏源导通电阻为530mΩ (典型值)。
    - 超低门极电荷: 门极电荷典型值仅为23nC。
    - 低有效输出电容: 输出电容典型值为60pF。
    - 100% 雪崩测试: 确保可靠性。
    - 无铅且符合RoHS标准: 符合环保要求。
    这些特性使FCPF7N60/FCP7N60 MOSFET 在高效率开关电源设计中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例: 该产品常用于LCD/LED/PDP电视、太阳能逆变器、AC-DC电源供应等领域。
    使用建议:
    - 在设计中确保最大漏电流不会超过额定值。
    - 选择合适的门极电阻以控制开关速度,减少开关损耗。
    - 注意散热设计,特别是当温度较高时,考虑热阻的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性: FCPF7N60/FCP7N60 MOSFET 支持常见的电源管理拓扑结构,易于与其他电子元器件集成。
    支持和维护: ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持,包括设计指南和应用笔记,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何优化散热?
    - 解决方法: 使用合适的散热片和热界面材料,确保良好的热传导。
    2. 如何减少开关损耗?
    - 解决方法: 选用较小的门极电荷和适当的门极电阻,优化开关速度。
    3. 如何避免过高的电压应力?
    - 解决方法: 确保电路设计能承受最大电压,适当添加箝位电路。

    7. 总结和推荐


    综合评估: FCPF7N60/FCP7N60 MOSFET 结合了高电压耐受性和低导通电阻的优点,使其成为高性能开关电源的理想选择。它的独特设计和卓越性能使其在市场上具备很强的竞争优势。
    推荐使用: 鉴于其出色的特性和广泛应用范围,强烈推荐在高效率电源设计中使用FCPF7N60/FCP7N60 MOSFET。

FCPF7N60参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 3.5A,10V
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 31W(Tc)
栅极电荷 30nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 920pF@25V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FCPF7N60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCPF7N60数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCPF7N60 FCPF7N60数据手册

FCPF7N60封装设计

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1000+ ¥ 11.0812
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