处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD65N03R-35G

NTD65N03R-35G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 50W 20V 2V@ 250µA 16nC@ 5 V 1个N沟道 25V 8.4mΩ@ 30A,10V 65A 1.4nF@20V TO-247-3 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: CY-NTD65N03R-35G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD65N03R-35G

NTD65N03R-35G概述

    NTD65N03R/D Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD65N03R 是一款单 N-通道 Power MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。其具有低 RDS(on)(导通电阻)、超低栅极电荷和低反向恢复电荷等特点,广泛应用于桌面CPU电源、直流-直流转换器和高低边开关等领域。本手册详细介绍了该器件的技术参数、性能特点及其在实际应用中的表现。

    技术参数


    NTD65N03R 的关键技术规格如下:
    - 电压和电流参数:
    - 漏源电压(VDSS):25 V
    - 漏极连续电流(ID):45 A(TA = 85°C);11.4 A(TA = 25°C)
    - 单脉冲漏源雪崩能量(EAS):71.7 mJ
    - 瞬态漏极电流(IDM):130 A(tp = 10 µs)
    - 热阻参数:
    - 结到壳体的热阻(RθJC):2.5 °C/W
    - 结到环境的热阻(RθJA):80 °C/W(稳态)
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):6.5 mΩ(VGS = 10 V,ID = 30 A)
    - 输入电容(Ciss):1177-1400 pF(VGS = 0 V,f = 1.0 MHz,VDS = 20 V)
    - 输出电容(Coss):555 pF
    - 反向传输电容(Crss):218 pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):NTD65N03R 的低 RDS(on) 特点使其能够高效运行,减少了导通损耗,提高了能效。
    - 超低栅极电荷:这使得它在开关过程中功耗较低,提高了整体效率。
    - 低反向恢复电荷:有助于减少电路中的瞬态现象,提高系统稳定性。

    应用案例和使用建议


    NTD65N03R 在桌面CPU电源和直流-直流转换器中表现出色。根据手册中的应用案例,该器件适合用于大电流和高频率的应用场合。在实际使用中,需要注意散热管理以确保长期稳定运行。建议在设计时选择合适的 PCB 布局,以最大限度地降低寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD65N03R 采用 DPAK 封装,符合行业标准,易于与其他电路组件集成。
    - 支持和服务:Semiconductor Components Industries 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    - 问题:热管理不佳导致器件过热。
    - 解决方案:增加散热片,优化 PCB 设计,以改善散热效果。
    - 问题:负载电流超过最大额定值。
    - 解决方案:增加外部电路保护措施,如使用保险丝或限流电阻。
    - 问题:频繁开关导致发热增加。
    - 解决方案:优化驱动电路,使用更高频的开关频率,并考虑增加散热片。

    总结和推荐


    综上所述,NTD65N03R 是一款性能卓越的 Power MOSFET,尤其适合于需要高功率密度和高效率的应用场合。其低 RDS(on) 和低栅极电荷特性使其在开关电源设计中非常有竞争力。总体来看,强烈推荐此产品给寻求高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。

NTD65N03R-35G参数

参数
Id-连续漏极电流 65A
Vds-漏源极击穿电压 25V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@20V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 50W
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 16nC@ 5 V
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD65N03R-35G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD65N03R-35G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD65N03R-35G NTD65N03R-35G数据手册

NTD65N03R-35G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.1122 ¥ 0.948
5000+ $ 0.1122 ¥ 0.948
库存: 501644
起订量: 1055 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 948
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336