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NVMFD5853NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1KW 20V 4V@ 250µA 24nC@ 10V 2个N沟道 40V 10mΩ@ 15A,10V 12A 1.225nF@25V DFN-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NVMFD5853NT1GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5853NT1G

NVMFD5853NT1G概述

    NVMFD5853N 和 NVMFD5853NWF MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMFD5853N 和 NVMFD5853NWF 是由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的双 N-通道 MOSFET,采用 SO-8FL 封装形式。这些 MOSFET 在电源转换和电机控制等领域中广泛应用,具有体积小、低导通电阻和低栅极电容的特点。NVMFD5853NWF 还特别适用于需要湿法侧面可焊性的应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):
    - TC = 25°C:53A
    - TC = 100°C:37A
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25°C:58W
    - TC = 100°C:29W
    - 瞬态脉冲漏电流(IDM):165A(TA = 25°C)
    - 运行结温(TJ, Tstg):-55°C 到 175°C
    - 热阻抗:
    - 结至外壳热阻(RJC):2.6°C/W
    - 结至环境热阻(RJA):48°C/W
    - 电气特性:
    - 开关阈值电压(VGS(TH)):2.0V 至 4.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):10mΩ(VGS = 10V,ID = 15A)
    - 输入电容(Ciss):1225pF
    - 输出电容(Coss):150pF
    - 逆向转移电容(Crss):100pF

    产品特点和优势


    1. 紧凑设计:采用了小型封装(5x6 mm),适合空间受限的设计。
    2. 低导通电阻:最小化导通损耗,提高效率。
    3. 低电容:减少驱动损耗。
    4. AEC-Q101 认证:适用于汽车电子应用。
    5. 无铅无卤素:环保友好。
    6. 湿法侧面可焊性:提高焊接可靠性和制造便捷性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:NVMFD5853N 和 NVMFD5853NWF 可用于开关电源、电机驱动电路、DC-DC 转换器等领域。
    - 使用建议:
    - 确保在使用过程中不超过额定的最大电流和电压。
    - 使用低热阻封装以优化散热效果。
    - 注意散热片的选择,以防止热失控。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFD5853N 和 NVMFD5853NWF 与多种标准电路板布局和装配方法兼容。
    - 支持:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,用户可通过官方网站获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热。
    - 解决方法:检查散热片的安装是否正确,确认环境温度不超过最大限制。
    - 问题2:启动时间延迟。
    - 解决方法:确保合适的栅极电阻(RG)设置,参考数据手册中的典型图表进行优化。

    总结和推荐


    NVMFD5853N 和 NVMFD5853NWF 是高性能、高可靠性的小型 MOSFET,非常适合需要紧凑设计和高效能的应用。其低导通电阻和低电容特性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。通过提供详细的文档和支持,制造商为用户提供了极大的便利。因此,强烈推荐这些 MOSFET 用于各种电子系统设计中。
    如果您有任何进一步的问题或需要技术支持,请随时联系您的本地销售代表或访问官方网站获取更多信息。

NVMFD5853NT1G参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.225nF@25V
栅极电荷 24nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 3.1KW
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 15A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

NVMFD5853NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5853NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFD5853NT1G NVMFD5853NT1G数据手册

NVMFD5853NT1G封装设计

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