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FDB3652

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 53nC@ 10V 1个N沟道 100V 16mΩ@ 61A,10V 9A,61A 2.88nF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: 1700623
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB3652

FDB3652概述


    产品简介


    FDP3652/FDB3652 MOSFET – N-Channel
    FDP3652 和 FDB3652 是由 onsemi(原名安森美半导体)生产的 N 沟道 MOSFET,采用 POWERTRENCH® 技术。这些产品具有出色的性能,适用于多种应用场景,如开关电源(ATX/服务器/电信)、电池保护电路、电机驱动和不间断电源等。

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 VDSS | V | - | - | 100 |
    | 栅源电压 VGS | V | - | ±20 | - |
    | 连续漏电流(Ta=25°C) ID | A | - | 61 | - |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | mJ | - | 182 | - |
    | 功率耗散 PD | W | - | 150 | - |
    | 热阻 RJC | °C/W | - | 1.0 | - |
    | 热阻 RJA | °C/W | - | 43 | - |
    工作环境
    - 工作温度 TJ, TSTG: -55°C 到 175°C

    产品特点和优势


    FDP3652 和 FDB3652 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻 RDS(on):典型值为 14 mΩ(在 VGS=10 V,ID=61 A 条件下),这使得它们在高电流条件下表现出色。
    - 低栅极电荷 Qg(TOT):典型值为 41 nC,适合快速开关应用。
    - 低反向恢复电荷 QRR:有助于减少逆变器和其他开关电路中的损耗。
    - 无铅和卤素自由:符合环保要求,广泛应用于绿色能源产品中。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在多种电源管理和控制应用中得到广泛应用,例如:
    - 同步整流:用于 ATX/服务器/电信电源,提供高效的能量转换。
    - 电池保护电路:防止过充和过放电,延长电池寿命。
    - 电机驱动:实现精确的电机控制和高效的能量管理。
    - 微型太阳能逆变器:适用于便携式和小型太阳能发电系统。
    使用建议:
    - 在选择 FDP3652 或 FDB3652 时,应考虑实际应用中的最大电流和温度范围,以确保器件的安全工作。
    - 针对高功率应用,可以考虑增加散热片或外部散热器,以提高器件的可靠性和寿命。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 可与其他标准器件兼容,并且 onsemi 提供详细的技术文档和在线支持。您可以访问 onsemi 的官方网站以获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:热稳定性不佳
    - 解决方法:确保正确的散热设计,使用足够的散热片或外部散热器。
    - 问题:开关时间较长
    - 解决方法:优化 PCB 布局,缩短电路路径,减少寄生电感。
    - 问题:栅极驱动不稳定
    - 解决方法:使用低电感栅极驱动线,并确保足够的栅极驱动电流。

    总结和推荐


    FDP3652 和 FDB3652 MOSFET 凭借其优异的导通电阻、低栅极电荷和高可靠性,在多个应用领域展现出强大的竞争力。如果您正在寻找一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,强烈推荐您选择 FDP3652 或 FDB3652。这些产品不仅能够满足苛刻的应用需求,还具备出色的性价比和广泛的适用范围。

FDB3652参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 53nC@ 10V
Id-连续漏极电流 9A,61A
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 61A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.88nF@25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 150W(Tc)
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

FDB3652厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB3652数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB3652 FDB3652数据手册

FDB3652封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 11.7402
10+ ¥ 9.5191
100+ ¥ 8.7259
500+ ¥ 8.7259
800+ ¥ 8.5672
1600+ ¥ 8.5672
2400+ ¥ 8.5672
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