处理中...

首页  >  产品百科  >  FDB3502

FDB3502

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),41W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 75V 47mΩ@ 6A,10V 6A,14A 815pF@40V TO-263AB 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-FDB3502
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB3502

FDB3502概述


    产品简介


    FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一种高效率的电子元器件,主要用于电源管理中的同步整流应用。该MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®制造工艺,旨在降低导通电阻同时保持优异的开关性能。其关键特点包括低导通电阻、高可靠性以及符合RoHS标准的无铅设计。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):75V
    - 最大漏极电流 (ID):14A(连续),22A(硅限制),6A(结温为25°C)
    - 功率耗散 (PD):41W(TC = 25°C),3.1W(TA = 25°C)
    - 热阻 (RθJC):3°C/W
    - 热阻 (RθJA):40°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 4.5V
    - 导通电阻 (rDS(on)):47mΩ(VGS = 10V,ID = 6A),80mΩ(结温为125°C)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (rDS(on)):FDB3502 在典型工作条件下提供47mΩ的低导通电阻,适用于需要高效能转换的应用场景。
    2. 高可靠性:该器件经过100% UL测试,确保其在高功率应用中的稳定性和耐用性。
    3. 快速开关速度:优秀的动态特性,例如快速的开关时间(td(on) 和 td(off) 分别为9ns 和 13ns)和低栅极电荷(Qg ≤ 15nC),使该MOSFET在高频应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:FDB3502 MOSFET常用于各种电源转换器和逆变器系统中作为同步整流器件。其低导通电阻和快速开关速度使得其非常适合用于需要高效率和高功率密度的应用,如服务器电源、通信设备电源、工业控制设备等。
    使用建议:
    - 在选择工作条件时,务必考虑器件的导通电阻随温度变化的情况,以保证器件在高温下的性能稳定性。
    - 设计散热系统时,应充分考虑器件的热阻(RθJC 和 RθJA),并采用合适的散热方案,如散热片或强制风冷。

    兼容性和支持


    FDB3502 MOSFET的封装形式为TO-263AB,且具有较好的兼容性,可直接替换同类产品。ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括在线资源、客户技术支持服务和售后服务保障,确保用户能够顺利进行产品的选型和应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何确定FDB3502 MOSFET的工作电压?
    - 解答: 查看电气特性表中的最大漏极-源极电压(VDS)参数,确认是否满足应用需求。FDB3502的最大额定电压为75V,确保不会超过此值。

    2. 问题: FDB3502 MOSFET的散热设计需要注意哪些方面?
    - 解答: 通过计算热阻(RθJC 和 RθJA)来评估散热需求,选择合适的散热方案,如散热片或强制风冷,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐


    FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET以其低导通电阻、高可靠性及快速开关速度在电源转换应用中展现出卓越性能。其良好的热管理和出色的电气特性使其成为高效率电源转换系统中的理想选择。如果您正在寻找一种可靠、高效的同步整流解决方案,FDB3502 MOSFET是值得推荐的产品。

FDB3502参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@ 6A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 75V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 815pF@40V
最大功率耗散 3.1W(Ta),41W(Tc)
Id-连续漏极电流 6A,14A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 15nC@ 10 V
通道数量 1
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDB3502厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB3502数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB3502 FDB3502数据手册

FDB3502封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.6509 ¥ 5.6008
300+ $ 0.6449 ¥ 5.5503
500+ $ 0.6389 ¥ 5.4998
1000+ $ 0.621 ¥ 5.2476
5000+ $ 0.621 ¥ 5.2476
库存: 83035
起订量: 179 增量: 1
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 560.08
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336