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FQD20N06TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),38W(Tc) 25V 4V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 60V 63mΩ@ 8.4A,10V 16.8A 590pF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: FQD20N06TMCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD20N06TM

FQD20N06TM概述

    FQD20N06 N-Channel QFET® MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FQD20N06 是一款由 ON Semiconductor 生产的N通道增强模式功率 MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor 的专有平面条纹和DMOS技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和卓越的开关性能及高雪崩能量强度。这种器件适用于多种应用,如开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等。

    2. 技术参数


    以下是FQD20N06的主要技术规格:
    - 最大电压(VDSS):60 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 25°C 时为 16.8 A
    - 100°C 时为 10.6 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):67.2 A
    - 栅源电压(VGSS):±25 V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):155 mJ
    - 栅电荷(Qg):典型值 11.5 nC
    - 输入电容(Ciss):典型值 450 pF
    - 输出电容(Coss):典型值 170 pF
    - 反向转移电容(Crss):典型值 25 pF
    - 最大功耗(PD):2.5 W(TA = 25°C),38 W(TC = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:60 V 时的 RDS(on) 最大值为 63 mΩ(典型值更低)
    - 低栅极电荷:典型值仅为 11.5 nC,有助于降低开关损耗
    - 高雪崩能量强度:保证在极端工作条件下的可靠性
    - 低栅极泄漏电流:确保稳定的工作性能
    - 高门限电压范围:门限电压在 2.0 至 4.0 V 之间,提供广泛的适用性

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:利用其低 RDS(on) 特性,可以有效降低开关损耗,提高效率
    - 音频放大器:低噪声和高动态范围使其成为理想的音频放大器组件
    - 直流电机控制:快速开关能力和高可靠性使其在电机控制系统中表现出色
    - 可变开关电源:具备宽工作温度范围,适应各种复杂环境
    使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑散热,以避免过热导致的性能下降
    - 在设计开关电源时,选择合适的栅极电阻(RG),以平衡开关速度和功耗

    5. 兼容性和支持


    FQD20N06 与多种电路板和系统兼容,建议在安装和使用过程中参考相关文档和指南。ON Semiconductor 提供了详尽的技术支持和维护服务,用户可以通过技术支持热线和电子邮件获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最大漏极电流?
    - 解答:查看数据表中的 "Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current" 部分,了解脉冲电流和连续电流的最大值。

    - 问题:如何处理过高的栅极电压?
    - 解答:确保栅极电压不超过 ±25 V,可使用稳压电路来保护栅极。

    7. 总结和推荐


    FQD20N06 N-Channel QFET® MOSFET 在多个应用领域中表现出色,特别是开关电源和音频放大器。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为高效能应用的理想选择。我们强烈推荐在上述应用场景中使用此器件,尤其是对性能要求较高的场合。希望本文档能够帮助您更好地理解和使用 FQD20N06。
    通过详细的解读和技术分析,可以看出 FQD20N06 是一款高性能、多功能的 N 通道 MOSFET,适用于广泛的电子应用领域。希望本文档能为您提供有益的信息和支持。

FQD20N06TM参数

参数
栅极电荷 15nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 590pF@25V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 2.5W(Ta),38W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 63mΩ@ 8.4A,10V
Id-连续漏极电流 16.8A
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

FQD20N06TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD20N06TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD20N06TM FQD20N06TM数据手册

FQD20N06TM封装设计

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