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FDS9412

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta) 20V 2V@ 250µA 22nC@ 10V 1个N沟道 30V 22mΩ@ 7.9A,10V 7.9A 830pF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: CY-FDS9412
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS9412

FDS9412概述

    # FDS9412 单片N沟道增强型场效应晶体管技术手册

    产品简介


    基本信息
    FDS9412是一款N沟道逻辑电平金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Logic Level MOSFET),专为低电压应用而设计,如笔记本电脑中的DC-DC转换器。该器件在低导通损耗和高效率方面表现优异。
    主要功能
    - 极低的导通电阻
    - 高速开关性能
    - 支持低电压操作
    应用领域
    - 笔记本电脑的DC-DC转换器
    - 其他需要高速开关和低功耗的应用

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数符号 | 参数名称 | 最大额定值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
    | VGSS | 栅极-源极电压 | ±20 | V |
    | ID | 漏极电流 - 连续 | 7.9 | A |
    | PD | 功率耗散 - 单次操作 | 2.5 | W |
    | TJ, TSTG | 工作及存储结温范围 | -55到+150 | °C |
    热特性
    | 参数符号 | 参数名称 | 值 | 单位 |
    ||
    | RθJA | 结-环境热阻 | 50 | °C/W |
    | RθJC | 结-外壳热阻 | 25 | °C/W |
    电气特性
    | 参数符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 30 | - | V |
    | IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS = 24 V, VGS = 0 V | - | - | 1 | μA |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1 | 1.6 | 2.0 | V |
    | RDS(on) | 静态漏极-源极导通电阻 | VGS = 10 V, ID = 7.9 A | 22 | - | mΩ |

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 极低的导通电阻:在VGS = 10V时,RDS(ON)仅为22 mΩ;在VGS = 4.5V时,RDS(ON)为36 mΩ,这使得它非常适合低电压应用。
    - 高速开关性能:具有非常低的门电荷和高开关速度。
    - 高性能沟槽技术:保证了极低的导通电阻,适合高功率和高电流的应用。
    - 紧凑的表面贴装封装:方便集成到现有的电路板设计中。
    市场竞争力
    在低电压应用领域,FDS9412表现出色,尤其适用于需要高效能和低功耗的场合。其低导通电阻和高速开关特性使其成为替代传统MOSFET的理想选择,尤其是在笔记本电脑和其他便携式设备中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDS9412广泛应用于笔记本电脑的DC-DC转换器中。这些转换器需要高效的能量转换和快速的开关性能,FDS9412能够满足这些需求。
    使用建议
    - 散热管理:尽管FDS9412具有较高的功率处理能力,但在高温环境下仍需注意散热,以防止过热。
    - 合理布局:在电路设计中,确保FDS9412与其他组件之间的良好布局,可以进一步提升整体性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    FDS9412采用标准的SO-8封装,与大多数现有设计兼容。用户可以根据具体需求选择合适的封装尺寸。
    厂商支持
    Fairchild Semiconductor提供详尽的技术支持文档,包括数据手册、应用笔记和技术白皮书,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻变化较大:如何减少温度变化对RDS(on)的影响?
    - 解决方案:通过合理的电路布局和散热措施来控制温度变化。
    2. 门电荷过高:如何降低门电荷?
    - 解决方案:选用具有较低Qg值的器件或通过外部电路优化门电荷的释放。

    总结和推荐


    综合评估
    FDS9412是一款出色的N沟道增强型场效应晶体管,以其低导通电阻、高开关速度和高性能沟槽技术脱颖而出。它特别适合于低电压应用,如笔记本电脑的DC-DC转换器。其紧凑的设计和广泛的兼容性使其成为众多应用场景的理想选择。
    推荐
    综上所述,FDS9412是一个值得推荐的产品,特别适用于需要高效率和低功耗的应用场景。无论是用于笔记本电脑还是其他便携式设备,它的出色表现都能满足用户的多样化需求。

FDS9412参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 22nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 7.9A,10V
Id-连续漏极电流 7.9A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 830pF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDS9412厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS9412数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS9412 FDS9412数据手册

FDS9412封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2131 ¥ 1.8343
1000+ $ 0.2071 ¥ 1.7501
5000+ $ 0.2071 ¥ 1.7501
库存: 111279
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