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NTP5860NG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 283W(Tc) 20V 4V@ 250µA 180nC@ 10 V 1个N沟道 60V 3mΩ@ 75A,10V 220A 10.76nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: FL-NTP5860NG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTP5860NG

NTP5860NG概述


    产品简介


    NTB5860N/NTP5860N/NVB5860N 是一款由 onsemi 提供的高性能 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该系列器件设计用于高电流、低导通电阻的应用场景,是电源管理、电机控制和汽车电子系统等领域的理想选择。其典型额定值包括 60V 的漏源电压 (VDSS),220A 的连续漏极电流 (ID),以及最低至 2.5mΩ 的导通电阻 (RDS(on))。此系列产品符合 RoHS 和无铅标准,部分型号还通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车及其它需要严格质量和性能要求的应用。

    技术参数


    以下是 NTB5860N/NTP5860N/NVB5860N 的关键技术规格汇总:
    - 额定电压: VDSS = 60V
    - 连续漏极电流: ID = 220A(Tc=25℃),ID = 156A(Tc=100℃)
    - 脉冲漏极电流: IDM = 660A(tp=10μs),IDMmax = 130A
    - 最大功耗: PD = 283W(Tc=25℃)
    - 关断时间: td(off) = 66ns
    - 导通电阻: RDS(on) = 2.5mΩ 至 3.0mΩ(VGS=10V,ID=75A)
    - 阈值电压: VGS(th) = 2.0V 至 4.0V
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    此外,该器件具备高抗雪崩能力,并通过了100%雪崩测试验证,确保在恶劣环境下的可靠性。

    产品特点和优势


    NTB5860N 系列产品以其卓越的性能和广泛的应用领域脱颖而出。以下是其主要特点与优势:
    - 超低导通电阻: 具有行业领先的 RDS(on),可显著降低功耗并提高效率。
    - 高电流能力: 超过 220A 的连续漏极电流使其能够轻松应对大电流应用场景。
    - 高可靠性: 通过雪崩测试验证,可在极端环境下保持稳定运行。
    - 环保合规: 所有产品均符合 RoHS 和无卤素要求,适合绿色环保需求。
    - 多样化封装: 提供 TO-220AB 和 D2PAK 两种封装形式,方便集成到不同设计中。
    - 质量保证: 部分型号如 NVB 前缀产品已通过 AEC-Q101 认证,确保满足车规级要求。
    这些特性使得 NTB5860N 成为电机驱动、逆变器、开关电源等领域的重要选择。

    应用案例和使用建议


    NTB5860N 系列广泛应用于各种工业与消费电子产品中,例如:
    - 工业电源: 在高频开关电源中替代传统二极管,以减少导通损耗并提升整体效率。
    - 电机控制: 用于驱动电动机,提供平稳高效的电流控制。
    - 汽车电子: 满足车身控制系统和混合动力汽车的需求。
    为了最大化利用 NTB5860N 的性能优势,建议遵循以下几点:
    1. 确保电路设计充分考虑器件的热管理需求,使用大面积铜箔进行散热。
    2. 使用适当的栅极驱动器以避免开关速度过慢导致的效率损失。
    3. 在高温环境中使用时,优先选择 NVB 前缀型号以获得更高可靠性和安全性。

    兼容性和支持


    NTB5860N 系列与市面上主流的 PCB 和电路设计工具高度兼容,可用于多款模块化开发平台。同时,onsemi 提供全面的技术支持服务,包括线上知识库、在线培训课程以及现场工程师协助,帮助客户快速完成产品选型和技术集成。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确认 VGS 是否达到阈值电压 |
    | 开关速度较慢 | 检查栅极电容配置,调整驱动电路参数 |
    | 温度过热 | 增加散热措施,如增加散热片或改善气流布局 |

    总结和推荐


    综上所述,NTB5860N 系列 MOSFET 凭借其优异的性能参数和广泛的应用场景,成为现代电子设计中的优选方案。尤其在追求高效能、高可靠性的场合下,这款产品展现出强大的竞争力。对于需要处理高电流密度和低功耗的设计,强烈推荐选用 NTB5860N 系列器件。
    如果您正在寻找一款兼顾成本效益和性能表现的功率 MOSFET,NTB5860N 将是一个非常值得考虑的选择!

NTP5860NG参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 283W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 220A
栅极电荷 180nC@ 10 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.76nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 75A,10V
10.28mm(Max)
4.82mm(Max)
9.28mm(Max)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 散装,管装

NTP5860NG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTP5860NG数据手册

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NTP5860NG封装设计

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