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FQI3N30TU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.13W(Ta),55W(Tc) 30V 5V@ 250µA 7nC@ 10V 1个N沟道 300V 2.2Ω@ 1.6A,10V 3.2A 230pF@25V I2PAK,TO-262 通孔安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: Q-FQI3N30TU
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQI3N30TU

FQI3N30TU概述


    产品简介


    FQI3N30 300V N-Channel QFET
    FQI3N30 是一种300V N沟道增强型功率场效应晶体管(QFET),由Fairchild半导体公司生产。它采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造,以实现低导通电阻、卓越的开关性能和高能量脉冲耐受能力。这款QFET适用于高效的直流/直流转换器及开关模式电源供应器。

    技术参数


    - 额定电压: 300V
    - 电流: 3.2A
    - 导通电阻: RDS(on) = 2.2Ω (VGS = 10V)
    - 栅极电荷: 5.5nC (典型值)
    - 反向转移电容: Crss = 6.0pF (典型值)
    - 击穿电压: 高达300V
    - 耐雪崩能力: 100% 雪崩测试通过
    - 上升速率能力: 改善的dv/dt能力
    - 封装形式: TO-262 (I2PAK)
    - 引脚数: 3
    - 包装方式: 单个卷带(1,000件预算定价)

    产品特点和优势


    FQI3N30 QFET具有以下特点和优势:
    - 高性能: 导通电阻低(2.2Ω),栅极电荷低(5.5nC)和反向转移电容低(6.0pF),确保卓越的开关性能。
    - 高可靠性: 100% 雪崩测试通过,能够承受高能量脉冲。
    - 快速开关: 优秀的上升速率能力(改善的dv/dt),适合高速开关应用。
    - 广泛应用: 适用于高效率的直流/直流转换器和开关模式电源供应器。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器: 利用其低导通电阻特性,减少功耗,提高转换效率。
    - 开关电源: 快速开关和高可靠性使其适用于各种电源供应系统。
    使用建议:
    - 在使用FQI3N30时,注意其最大额定电压(300V)和电流(3.2A),确保在其安全工作范围内操作。
    - 为提高开关速度,建议使用低栅极电荷特性,以便更快地驱动栅极电容。
    - 鉴于其出色的耐雪崩能力,可考虑用于需要极高可靠性要求的应用场合。

    兼容性和支持


    FQI3N30 QFET与大多数标准直流/直流转换器和开关电源设备兼容。Fairchild半导体提供全面的技术支持和样品请求服务。更多信息,请访问官网或联系当地分销商和销售代表获取支持。

    常见问题与解决方案


    问题1: FQI3N30的最大额定电压是多少?
    解答: 最大额定电压为300V。
    问题2: 如何选择合适的栅极驱动器?
    解答: 选择具有足够电流和速度的栅极驱动器,以确保FQI3N30快速开通和关断,减少开关损耗。
    问题3: 如何检查器件是否有损坏?
    解答: 使用数字万用表测量导通电阻(RDS(on))。正常情况下,读数应在2.2Ω左右。

    总结和推荐


    FQI3N30是一款具有出色开关性能和高可靠性的300V N沟道QFET。其低导通电阻、快速开关特性和高能量脉冲耐受能力使其成为高性能直流/直流转换器和开关电源的理想选择。因此,强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高效率和高可靠性的应用场合。对于任何疑问,Fairchild半导体提供的技术支持和服务可以有效帮助您解决问题。

FQI3N30TU参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 1.6A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 3.2A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 230pF@25V
通道数量 1
栅极电荷 7nC@ 10V
最大功率耗散 3.13W(Ta),55W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 300V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 I2PAK,TO-262
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQI3N30TU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQI3N30TU数据手册

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FQI3N30TU封装设计

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