处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS5H663NLT1G

NVMFS5H663NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 67 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: NVMFS5H663NLT1GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5H663NLT1G

NVMFS5H663NLT1G概述


    产品简介


    NVMFS5H663NL 和 NVMFS5H663NLWF 是 ON Semiconductor 推出的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于单管设计,专为功率应用而设计。这些 MOSFET 主要用于需要高效率、紧凑设计的应用场景,例如电源管理、直流-直流转换器和其他工业和消费电子设备。它们具有小尺寸封装(5x6 mm)、低导通电阻(RDS(on))以减少损耗、低栅极电荷(QG)和电容以降低驱动损耗等优点。

    技术参数


    以下是 NVMFS5H663NL 和 NVMFS5H663NLWF 的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDSS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:67 A
    - TC = 100°C 时:47 A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时:63 W
    - TC = 100°C 时:31.3 W
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):359 A
    - 热阻 (RJC):2.4°C/W
    - 热阻 (RJA):41°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 栅源漏电流 (IS):52 A
    - 单脉冲漏源雪崩能量 (EAS):274 mJ

    产品特点和优势


    1. 小尺寸封装:采用 5x6 mm 的 DFN5 封装,适合紧凑设计。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)):最小值为 5.8 mΩ@10 V 和 7.2 mΩ@4.5 V,有效减少导通损耗。
    3. 低栅极电荷 (QG):简化驱动电路设计并降低驱动损耗。
    4. 符合行业标准:AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力。
    5. 环保材料:无铅且符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVMFS5H663NL 和 NVMFS5H663NLWF 可广泛应用于各类高效率电源系统,例如:
    - 电动汽车充电站的电源模块
    - 数据中心的服务器电源供应单元
    - 工业自动化设备的电源转换
    使用建议
    1. 温度管理:由于高功率耗散,需要良好的散热设计,特别是 PCB 上需采用大铜箔散热区域。
    2. 驱动电路优化:选择合适的栅极电阻值(如 RG = 2.5 Ω),以优化开关时间。
    3. 应用安全考虑:确保所有应力不超过最大额定值,避免可靠性受损。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFS5H663NL 和 NVMFS5H663NLWF 可直接替换现有电路中的类似产品,无需大幅更改设计。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持,包括技术手册、应用笔记等资源。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 系统过热 | 改进散热设计,使用大铜箔散热区域。 |
    | 驱动信号失真 | 调整栅极电阻值,优化驱动电路。 |
    | 额定电流不足 | 确认应用条件不超过最大额定值,避免可靠性受损。 |

    总结和推荐


    综上所述,NVMFS5H663NL 和 NVMFS5H663NLWF 在其应用领域内表现卓越,具备出色的性能和市场竞争力。其小尺寸、高效率和高可靠性使其成为电源管理和转换应用的理想选择。我们强烈推荐将其用于需要高性能和可靠性的场合。如果您的项目对上述特点有所需求,建议详细了解其技术参数并咨询 ON Semiconductor 获取更多技术支持。

NVMFS5H663NLT1G参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 3.7W(Ta),63W(Tc)
栅极电荷 17nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 67A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 56µA
Rds(On)-漏源导通电阻 7.2mΩ@ 20A,10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.131nF@30V
长*宽*高 5.1mm(长度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5H663NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5H663NLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5H663NLT1G NVMFS5H663NLT1G数据手册

NVMFS5H663NLT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 0.5219 ¥ 4.3678
3000+ $ 0.4922 ¥ 4.1192
4500+ $ 0.4835 ¥ 4.0459
7500+ $ 0.4831 ¥ 4.0428
库存: 4500
起订量: 1500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1500
合计: ¥ 6551.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336