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FCMT299N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 125W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 51nC@ 10 V 1个N沟道 600V 299mΩ@ 6A,10V 12A 1.948nF@380V 贴片安装 8mm*8mm*1.1mm
供应商型号: CY-FCMT299N60
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCMT299N60

FCMT299N60概述


    产品简介


    FCMT299N60 N-Channel SuperFET® II MOSFET 是一款由Fairchild Semiconductor生产的高电压超级结(SJ)MOSFET,属于SuperFET® II系列。它具有多种优势,例如低导通电阻(RDS(on))、低门极电荷和优异的开关性能。该产品主要应用于服务器和电信电源供应系统、太阳能逆变器以及适配器等领域。

    技术参数


    以下是FCMT299N60的技术规格:
    - 最高耐压(VDSS): 600V
    - 门极至源极电压(VGSS):
    - 直流:±20V
    - 交流(f > 1 Hz):±30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 25℃时:12A
    - 100℃时:7.9A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 36A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 234mJ
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 20V/ns(二极管)
    - 最大功率耗散(PD): 125W(25℃时)
    - 热阻(RθJC 和 RθJA):
    - RθJC:1.0℃/W
    - RθJA:45℃/W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 最高焊接温度(TL): 300°C(从壳体边缘1/8英寸处)

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻(RDS(on)): 250mΩ(典型值),这有助于减少损耗并提高能效。
    2. 低门极电荷(Qg): 典型值为39nC,有助于提升开关速度。
    3. 低有效输出电容(Coss(eff.)): 127pF,进一步提升了开关性能。
    4. 100% 雪崩测试, 确保产品在极端条件下的可靠性。
    5. RoHS合规,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应系统:这类系统通常需要高效、稳定的电源转换。FCMT299N60的低导通电阻和快速开关特性使其成为理想的候选器件。
    - 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该器件的高效开关性能有助于提升整体系统效率。
    - 适配器:在电源适配器中,FCMT299N60可以提供更好的转换效率和更低的发热,从而延长设备寿命。
    使用建议:
    - 在设计电源电路时,注意考虑散热问题。由于该器件的最大功率耗散为125W,合理的散热设计是必要的。
    - 在进行测试和应用验证时,需考虑温度变化对性能的影响,特别是高温下的工作情况。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - FCMT299N60采用Power88封装,是一种超薄表面贴装封装,适用于标准SMT工艺。其Moisture Sensitivity Level为1级(MSL 1),意味着在焊接过程中对湿度的敏感度较低。
    支持:
    - ON Semiconductor(原Fairchild Semiconductor)提供了详尽的技术支持文档,确保用户能够获得最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题: 设备无法正常启动。
    - 解决方案: 检查门极到源极电压(VGSS)是否正确设置。如果电压设置不当,可能导致器件不能正常开启。

    2. 问题: 发现温度过高。
    - 解决方案: 确认散热措施是否充分。可能需要增加散热片或改进散热设计以降低工作温度。
    3. 问题: 开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案: 检查门极电阻(RG)的值是否合适。过高的门极电阻可能会导致开关过程不稳定,产生噪音。

    总结和推荐


    FCMT299N60是一款高性能的N-Channel SuperFET® II MOSFET,适用于高可靠性要求的电源应用。其显著的特点如低导通电阻、低门极电荷和优秀的开关性能,使其在服务器电源、太阳能逆变器和适配器等领域表现出色。对于寻求高效、可靠电源解决方案的应用来说,FCMT299N60是一个非常值得推荐的选择。为了确保最佳性能,建议在使用前详细阅读技术手册,并确保适当的散热设计。

FCMT299N60参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 51nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 299mΩ@ 6A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.948nF@380V
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 125W(Tc)
配置 独立式
长*宽*高 8mm*8mm*1.1mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FCMT299N60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCMT299N60数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCMT299N60 FCMT299N60数据手册

FCMT299N60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.8185 ¥ 15.5048
100+ $ 1.7857 ¥ 15.3664
300+ $ 1.7694 ¥ 15.228
500+ $ 1.753 ¥ 15.0895
1000+ $ 1.7038 ¥ 14.3973
5000+ $ 1.7038 ¥ 14.3973
库存: 30403
起订量: 65 增量: 1
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