处理中...

首页  >  产品百科  >  FDS6912A

FDS6912A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 6 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: FDS6912A
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS6912A

FDS6912A概述

    FDS6912A MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDS6912A 是由 onsemi 公司生产的双N沟道逻辑电平MOSFET,采用先进的POWERTRENCH制造工艺。该产品设计用于低电压和电池供电的应用,如低功耗设备和需要快速开关性能的应用。由于其较低的导通电阻(RDS(ON))和高开关速度,FDS6912A 在多个领域具有广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源击穿电压(VDSS):30V
    - 漏极电流(ID):连续额定值6A,脉冲额定值20A
    - 最大功率损耗(PD):1.6W(单操作)
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(RθJA):78°C/W
    - 热阻抗(RθJC):40°C/W
    - 性能参数
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=10V 时:28mΩ
    - VGS=4.5V 时:35mΩ
    - 门限电压(VGS(th)):1V至3V
    - 开启门限电压温度系数(ΔVGS(th)/ΔTJ):-4.5mV/°C
    - 输入电容(Ciss):最大575pF
    - 输出电容(Coss):最大145pF
    - 反向传输电容(Crss):最大65pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至28mΩ(VGS=10V),保证高效能。
    - 高速开关能力:优秀的开关性能使其适合高频应用。
    - 环保特性:无铅、无卤素,符合绿色制造标准。
    - 高性能Trench技术:确保了低导通电阻同时维持出色的开关性能。
    - 高功率和电流处理能力:能够应对高强度的应用需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 便携式电子设备
    - 电池管理系统
    - 汽车电子系统
    - 使用建议:
    - 使用适当的散热设计以避免热积聚。
    - 保持门极电阻(RG)在适当范围内,以实现快速开关和低功率消耗。
    - 在选择电源电压(VGS)时,根据所需的最大电流(ID)进行合理配置。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种电子系统,特别是需要低电压、低功耗的应用。
    - 支持:onsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户在应用过程中获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的散热方案?
    - 解决方案:根据产品的热阻抗(RθJA 和 RθJC)计算所需的散热面积,并采用有效的散热措施,例如加装散热片。

    - 问题2:如何优化开关速度?
    - 解决方案:通过调整门极电阻(RG)来控制开关时间,降低总栅极电荷(Qg),提高开关速度。

    7. 总结和推荐


    总结:FDS6912A MOSFET 在低电压、电池供电应用中表现出色,具备低导通电阻、高速开关和绿色环保等优点。对于追求高效能和低功耗的设计者来说,FDS6912A 是一个非常值得推荐的产品。其广泛的适用性和优秀的性能使其在多个领域中表现出色,尤其是在便携式设备和汽车电子系统中。
    推荐:鉴于其卓越的性能和多样的应用潜力,强烈推荐FDS6912A MOSFET给需要高效能和低功耗解决方案的工程师和设计师。

FDS6912A参数

参数
栅极电荷 8.1nC@ 5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 575pF@15V
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 6A,10V
配置 separate,2elementswithbuilt-indiode
最大功率耗散 1.6W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDS6912A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS6912A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS6912A FDS6912A数据手册

FDS6912A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.92
5000+ ¥ 1.888
10000+ ¥ 1.856
20000+ ¥ 1.824
库存: 10000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 4800
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336