处理中...

首页  >  产品百科  >  FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 890mW(Ta),2.08W(Tc) 30V 4V@ 250µA 6.4nC@ 10 V 1个N沟道 500V 6Ω@ 190mA,10V 380mA 195pF@25V TO-92-3 通孔安装 5.2mm*4.19mm*5.33mm
供应商型号: 2453901
供应商: element14
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQN1N50CTA

FQN1N50CTA概述


    产品简介


    FQN1N50C是一款N沟道QFET®功率MOSFET,适用于多种应用场合,如开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子镇流器等。该产品具有低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和优异的雪崩能量强度,适合于要求高效能和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDSS):500V
    - 漏极连续电流(ID):0.38A(TC=25°C),0.24A(TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):44.4mJ
    - 额定栅极-源极电压(VGSS):±30V
    - 功耗(PD):0.89W(TA=25°C)
    - 热阻参数:
    - 结到引脚热阻(RθJL):最大60°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):最大140°C/W
    - 其他特性:
    - 高温工作范围:-55°C至+150°C
    - 最大引脚温度:300°C(焊接时间1/8秒)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)在典型值为4.6Ω时可降低电路功耗。
    - 低栅极电荷:典型的栅极电荷为4.9nC,有利于快速开关。
    - 优异的雪崩能力:EAS值为44.4mJ,确保在恶劣条件下保持良好的稳定性。
    - 高性能:结合了低门极电荷和低雪崩电容,使它成为一种高效能的产品。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于高效率开关电源、功率因数校正(PFC)电路以及电子镇流器等。
    - 使用建议:由于其低导通电阻和高雪崩能量,建议在需要高效、稳定性能的应用中使用。确保使用合适的散热措施,以避免过热现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的大多数系统兼容,适用于广泛的电力转换和控制电路。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括详细的数据手册和技术文档,以及客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品温度过高怎么办?
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热片或冷却装置。

    - 问题:如何确认正确的焊接温度?
    - 解决方案:确保焊接温度不超过最大允许值300°C,并严格遵循焊接工艺规范。

    总结和推荐


    FQN1N50C N沟道QFET® MOSFET是一款具有高性价比的电子元器件,具备出色的性能和稳定性。它在各种电力转换和控制应用中表现出色,尤其是在需要高效率和低功耗的设计中。尽管该产品不推荐用于新设计,但在现有项目中,它依然是一种非常值得推荐的选择。如果需要更新型号或者更高性能的产品,请联系ON Semiconductor代表获取更多信息。

FQN1N50CTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
栅极电荷 6.4nC@ 10 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 195pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 190mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 890mW(Ta),2.08W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 380mA
长*宽*高 5.2mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

FQN1N50CTA厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQN1N50CTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQN1N50CTA FQN1N50CTA数据手册

FQN1N50CTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 3.5805
100+ ¥ 2.4885
500+ ¥ 2.079
1000+ ¥ 1.764
2000+ ¥ 1.596
4000+ ¥ 1.596
库存: 1895
起订量: 25 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 17.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336