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FDBL0210N80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 357W(Tj) 20V 4V@ 250µA 169nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2mΩ@ 80A,10V 240A 10nF@40V HPSOF-8 贴片安装 2.4mm(高度)
供应商型号: FDBL0210N80
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDBL0210N80

FDBL0210N80概述

    FDBL0210N80 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDBL0210N80 是一款 N 沟道 PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ON Semiconductor(前身为 Fairchild Semiconductor)制造。该器件的最大电压为 80V,连续漏极电流可达 240A,最大导通电阻(RDS(on))为 2.0mΩ(典型值为 1.5mΩ)。FDBL0210N80 主要应用于工业电机驱动、电源供应、自动化系统、电池供电工具、电池保护、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)及储能等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):80V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):240A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):512mJ
    - 最大功耗(PD):357W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +175°C
    - 热阻(RθJC):0.42°C/W
    - 最大热阻(RθJA):43°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为 1.5mΩ(VGS = 10V, ID = 80A)
    - 输入电容(Ciss):典型值为 10000pF(VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):典型值为 1540pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值为 70pF
    - 总栅极电荷(Qg(ToT)):典型值为 130nC(VGS = 0至10V, VDD = 64V, ID = 80A)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on) 仅为 1.5mΩ,适用于高效率的应用场景。
    - 高耐压能力:最大耐压 80V,适用于各种高压电路设计。
    - 单脉冲雪崩能量高:512mJ 的单脉冲雪崩能量保证了更高的可靠性和稳定性。
    - 符合环保要求:RoHS 合规,适用于环保需求较高的应用场合。
    - 高效的开关特性:快速的开关时间(例如,关断延迟 td(off) 为 61ns)确保了高效稳定的电力转换。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业电机驱动:FDBL0210N80 在工业电机驱动中的应用可以显著提高系统的整体能效。在设计时,应注意散热问题以避免过高的温升影响器件性能。
    - 工业电源供应:作为电源管理的一部分,FDBL0210N80 能够提供稳定可靠的电力输出。建议在电路设计中加入适当的散热措施,如增加散热片或采用风冷方式。
    - 电池保护:FDBL0210N80 也适合用于电池保护电路中,由于其快速响应和高可靠性,可以有效防止电池过充或过放。

    5. 兼容性和支持


    FDBL0210N80 与大多数现有的 PCB 设计具有良好的兼容性。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,ON Semiconductor 的官方网站上还提供了大量的应用指南和技术支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定器件的最大工作温度?
    - 解决方案:查阅手册中的温度相关参数,确保在实际工作环境中器件不会超过其最大工作温度范围。

    - 问题:如何计算器件的散热需求?
    - 解决方案:根据器件的功耗(PD)和最大热阻(RθJA),结合实际的环境温度,计算出需要的散热器面积或冷却风扇功率。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDBL0210N80 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、高耐压能力和优秀的开关特性,适用于多种工业应用场景。建议在选择该器件时,注意其工作环境条件和散热需求,以确保其最佳性能。因此,对于追求高效率和稳定性的应用场景,FDBL0210N80 是一个理想的选择。

FDBL0210N80参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 240A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 357W(Tj)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10nF@40V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 80A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
栅极电荷 169nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 2.4mm(高度)
通用封装 HPSOF-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDBL0210N80厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDBL0210N80数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDBL0210N80 FDBL0210N80数据手册

FDBL0210N80封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 19.5636
4000+ ¥ 19.2348
6000+ ¥ 18.906
10000+ ¥ 18.5772
库存: 36000
起订量: 2000 增量: 0
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最小起订量为:2000
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