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FDME430NT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.1W(Ta) 12V 1.5V@ 250µA 9nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 40mΩ@ 6A,4.5V 6A 760pF@15V MICROFET 贴片安装 1.6mm*1.6mm*550μm
供应商型号: UNP-FDME430NT
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDME430NT

FDME430NT概述

    FDME430NT N-Channel PowerTrench® MOSFET

    产品简介


    FDME430NT 是一款由 Fairchild Semiconductor 设计和制造的 N-Channel PowerTrench® MOSFET。这种单片 N-Channel MOSFET 采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺,旨在优化导通电阻(rDS(on))并采用 MicroFET 封装技术。FDME430NT 具有较低的正向电压降,可应用于多种领域,如锂离子电池组、基带开关、负载开关及直流-直流转换器。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 30 V
    - 栅极到源极电压(VGS): ±12 V
    - 连续漏极电流(ID): 6 A(TJ = 25 °C)
    - 脉冲功率(PD): 2.1 W(TJ = 25 °C)
    - 最大温度范围(TJ, TSTG): -55 至 +150 °C
    - 热阻(RθJA): 60 °C/W(标准),175 °C/W(最小)
    - 最大导通电阻(rDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 6 A: 40 mΩ
    - VGS = 2.5 V, ID = 5 A: 51 mΩ
    - VGS = 1.8 V, ID = 4 A: 71 mΩ

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至 40 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 6 A),使得在高电流应用中具有较高的效率。
    - 微小封装:最大高度仅为 0.55 mm 的 MicroFET 1.6x1.6 Thin 封装,适合空间受限的应用。
    - 无卤素和锑氧化物:环保材料,适用于需要符合 RoHS 标准的产品。
    - 高可靠性:在极端温度条件下依然保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    - 锂离子电池组:作为电池管理系统的开关组件,确保高效的能量传输。
    - 负载开关:提供高效且可靠的电流控制。
    - 直流-直流转换器:优化电源转换过程,减少能耗。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,以避免过高的温度导致器件损坏。
    - 在选择 VGS 时,考虑其对 rDS(on) 的影响,选择合适的 VGS 以达到最优的性能。

    兼容性和支持


    - FDME430NT 可与其他常见的电子元件和系统兼容,具体兼容性请参考技术手册。
    - Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何防止过温?
    - 答:使用合理的散热设计,并根据热阻(RθJA)计算最大允许功耗,确保温度不超出安全范围。

    2. 问:在高频率应用中,栅极电荷(Qg)是否会成为问题?
    - 答:尽管 Qg 较大(6.5 nC - 9 nC),但可以通过选择合适的驱动电路来降低影响,从而优化开关性能。

    总结和推荐


    FDME430NT N-Channel PowerTrench® MOSFET 在众多方面表现出色,特别是在低导通电阻、微小封装和高可靠性方面。其广泛的适用性使其成为多种应用场景的理想选择。强烈推荐给需要高效能、可靠性和紧凑尺寸的工程师和设计师。在使用过程中,注意散热和合理配置驱动电路,可以充分发挥其优势。

FDME430NT参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 6A,4.5V
最大功率耗散 2.1W(Ta)
栅极电荷 9nC@ 4.5V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 760pF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 1.6mm*1.6mm*550μm
通用封装 MICROFET
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDME430NT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDME430NT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDME430NT FDME430NT数据手册

FDME430NT封装设计

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