处理中...

首页  >  产品百科  >  FCPF850N80Z

FCPF850N80Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 28.4W(Tc) 800V 4.5V@ 600uA 29nC@ 10V 2个N沟道 800V 850mΩ@ 3A,10V 6A 1.315nF@ 100V TO-220F 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: FL-FCPF850N80Z
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCPF850N80Z

FCPF850N80Z概述

    FCPF850N80Z MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCPF850N80Z 是安森美(onsemi)推出的全新一代高压超级结(SJ)MOSFET家族,采用了电荷平衡技术,旨在实现低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg)。此技术不仅能够减少传导损耗,还提供了出色的开关性能、更高的dv/dt耐受能力和更强的雪崩耐受能力。此外,内部门极-源极ESD二极管可以承受超过2 kV HBM脉冲应力,使得FCPF850N80Z非常适用于音频、笔记本适配器、照明、ATX电源和工业电源等应用场合。

    技术参数


    - 主要技术规格
    - 最大击穿电压:800 V
    - 门极到源极电压:±20 V (DC),±30 V (AC)
    - 连续最大漏极电流(TC = 25°C):8.0 A
    - 瞬态最大漏极电流:18 A
    - 单次脉冲雪崩能量:114 mJ
    - 雪崩电流:1.2 A
    - 重复雪崩能量:0.284 mJ
    - MOSFET dv/dt:100 V/ns
    - 门极到源极电容:990 pF 至 1315 pF
    - 输出电容:28 pF 至 37 pF
    - 门极电荷:22 nC 至 29 nC
    - 等效串联电阻(ESR):2.4 Ω
    - 工作环境
    - 操作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大焊接引线温度:300°C (1/8”从外壳)

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:典型值为710 mΩ,最大限度地减少了传导损耗。
    - 低门极电荷:典型值为22 nC,有助于提高开关性能。
    - 低反向恢复能量损耗(Eoss):典型值为2.3 μJ @ 400 V,减少开关过程中的能量损失。
    - 低有效输出电容:典型值为106 pF,减少开关过程中电容带来的影响。
    - 完全雪崩测试:确保产品在极端条件下仍能正常工作。
    - 改进的ESD防护能力:提高了器件的可靠性和使用寿命。
    - 符合RoHS标准:环保设计。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品广泛应用于AC-DC电源、LED照明等领域。例如,在LED驱动器设计中,FCPF850N80Z可用于降低能耗并提升整体效率。
    - 使用建议:
    - 在使用时注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 选择合适的驱动电路,以充分利用其低门极电荷特性。
    - 考虑环境温度对性能的影响,根据不同的工作温度条件调整工作参数。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FCPF80N80Z与常见的驱动电路和其他电子元件具有良好的兼容性,便于集成到现有系统中。
    - 支持:onsemi提供详细的技术文档和在线支持,帮助用户解决使用中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度会影响性能吗?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,合理分配负载,使用热管或散热片来辅助散热。
    - 问题2:门极电荷过高会怎样?
    - 解决方案:选择合适的驱动电阻,以减小门极电荷。
    - 问题3:长时间运行后出现性能下降?
    - 解决方案:定期检查散热系统,保持良好的工作环境。

    总结和推荐


    FCPF850N80Z MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,是一款值得推荐的产品。其超低的导通电阻、门极电荷以及优良的雪崩特性使其在电源管理和高效能转换应用中表现出色。强烈推荐在各类高性能开关电源和功率管理应用中采用这款产品。

FCPF850N80Z参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 3A,10V
Vgs-栅源极电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 600uA
Id-连续漏极电流 6A
栅极电荷 29nC@ 10V
最大功率耗散 28.4W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.315nF@ 100V
Vds-漏源极击穿电压 800V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

FCPF850N80Z厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCPF850N80Z数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCPF850N80Z FCPF850N80Z数据手册

FCPF850N80Z封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.2236 ¥ 10.2908
库存: 10000
起订量: 491 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 10.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336