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NVTFS5116PLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 14 A, WDFN封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: NVTFS5116PLTAG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG概述

    NVTFS5116PL Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVTFS5116PL 是一款单极型P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),专为高可靠性应用而设计。该产品适用于各种工业控制和汽车电子产品中,能够在高达-60V的电压下稳定工作,并具备较低的导通电阻(RDS(on)),从而有效降低功耗。此外,其低电容特性有助于减少驱动损耗,提高系统效率。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDSS):-60V
    - 漏极连续电流(ID):-14A(Tmb = 25°C)
    - 最大功耗(PD):21W(Tmb = 25°C)
    - 封装形式:WDFN8(3.3x3.3mm)

    - 热特性:
    - 热阻(RθJA):47°C/W
    - 热阻(RθJ-mb):7.2°C/W

    - 电特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):52mΩ @ -10V,-4.5V时为72mΩ
    - 输入电容(Ciss):1258pF
    - 输出电容(Coss):127pF
    - 反向传输电容(Crss):84pF
    - 工作温度范围:
    - 工作温度(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度(Tstg):-55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:采用3.3x3.3mm的小型封装,适合紧凑空间的应用。
    - 低导通电阻:最小化导通损耗,提升整体能效。
    - 低电容特性:减小驱动损耗,适用于高频应用。
    - 湿气渗透保护:通过湿气可焊侧边技术(Wettable Flanks Technology),确保产品长时间可靠运行。
    - 车规级认证:符合AEC-Q101标准,满足严格的车用标准要求。
    - 环保设计:无铅封装,符合RoHS标准,符合绿色环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池管理系统(BMS)
    - 驱动电路
    - 汽车电源管理模块
    使用建议:
    - 在选择外部驱动电路时,应根据具体应用需求选择合适的栅极电阻(RG)值,以达到最佳的开关性能。
    - 在高温环境下使用时,应考虑适当的散热措施,确保在额定电流下能够稳定工作。
    - 在进行热管理设计时,建议采用FR4基板,并确保铜箔面积足够大,以提高热传导效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品适用于多种电源管理和控制电路中,且与其他标准P沟道MOSFET产品具有良好的互换性。
    - 支持和维护: 供应商提供了详细的使用手册和技术支持服务,可以解答关于产品使用中的各种疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高频率开关操作下,MOSFET的温度过高。
    - 解决方案: 使用较大的铜箔散热器,或者增加外部散热片,以增强散热效果。

    - 问题2: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 增加栅极电阻(RG)值,以减少开关过程中的瞬态振荡。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    NVTFS5116PL 功率 MOSFET 具有优秀的导通特性和低电容特性,非常适合需要高效、可靠的电源管理电路中。该产品的紧凑封装和高可靠性使其成为工业控制和汽车电子领域的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐在需要高性能、高可靠性且紧凑设计的应用场合中使用 NVTFS5116PL。无论是电池管理系统还是电源转换模块,这款产品都能提供出色的性能表现。

NVTFS5116PLTAG参数

参数
栅极电荷 25nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.2W(Ta),21W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 7A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.258nF@25V
通道数量 1
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5116PLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5116PLTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG数据手册

NVTFS5116PLTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15000+ ¥ 3.6202
30000+ ¥ 3.3726
45000+ ¥ 3.212
60000+ ¥ 3.1555
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起订量: 15000 增量: 1500
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