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NTMFS4921NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 870mW(Ta),38.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 25nC@ 11.5 V 1个N沟道 30V 6.95mΩ@ 30A,10V 1.4nF@12V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: 11M-NTMFS4921NT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4921NT1G

NTMFS4921NT1G概述

    NTMFS4921N MOSFET 技术手册概览
    本文将详细介绍ON Semiconductor公司生产的NTMFS4921N MOSFET的相关技术和应用信息。通过提取手册中的关键内容,我们将深入探讨其技术参数、产品特点、应用案例、兼容性和支持,以及常见的问题与解决方案。

    1. 产品简介


    产品类型:NTMFS4921N是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用单个封装形式,型号为SO-8 FL(扁平引脚)。
    主要功能:
    - 低RDS(on)值以减少导通损耗。
    - 低电容值以降低驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷以减少开关损耗。
    - 热增强型SO-8封装。
    应用领域:
    - 中央处理器电源输送。
    - 直流-直流转换器。
    - 高侧开关应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流(Ta = 25°C) | ID | 13.8 | A |
    | 持续漏电流(Ta = 85°C) | ID | 10 | A |
    | 功率耗散(Ta = 25°C) | PD | 2.14 | W |
    | 最大脉冲漏电流(tp=10μs, Ta = 25°C) | IDM | 117 | A |
    | 栅源电荷 | QGS | 4.1 | nC |
    | 栅漏电荷 | QGD | 3.8 | nC |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | 10.7 - 16 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on):NTMFS4921N具有非常低的RDS(on),可以有效减少导通损耗,提高效率。
    - 低电容:内置低电容特性减少了驱动损耗,适用于高频率应用场景。
    - 热增强型封装:通过热增强设计提高了散热能力,延长了使用寿命。
    - 优化栅极电荷:有助于减少开关过程中的能量损耗,提高了整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在CPU电源输送系统中,用于提高系统的效率和稳定性。
    - 在直流-直流转换器中,作为关键的开关元件来调节输出电压。
    使用建议:
    - 当应用于高功率密度系统时,注意散热设计,确保MOSFET的工作温度不超过最大限制。
    - 考虑到栅极电荷的影响,建议使用适当的栅极电阻来优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS4921N采用SO-8 FL封装,可轻松与现有的PCB布局兼容。ON Semiconductor提供了详细的电气特性和物理尺寸规格,方便用户进行集成。厂商提供全面的技术支持和维护服务,可通过其官方网站获取相关文档和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题一:长时间高温工作是否会降低性能?
    - 解决方案:定期监测并控制工作温度,确保不超出最高限定值。如果需要长时间高温运行,可考虑外加散热装置。

    - 问题二:在高频应用中如何减少损耗?
    - 解决方案:合理选择栅极电阻,优化栅极电荷,尽量降低驱动损耗。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTMFS4921N MOSFET凭借其出色的导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,能够显著提高电路的整体性能。其高可靠性、热稳定性和高效率使其成为多种电力管理和控制应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐在高效率需求的应用场合中使用NTMFS4921N。由于其卓越的性能和广泛的适用性,非常适合用于CPU电源配送、直流-直流转换器及高侧开关等领域。

NTMFS4921NT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 6.95mΩ@ 30A,10V
栅极电荷 25nC@ 11.5 V
最大功率耗散 870mW(Ta),38.5W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@12V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS4921NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4921NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4921NT1G NTMFS4921NT1G数据手册

NTMFS4921NT1G封装设计

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