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FQD9N25TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),55W(Tc) 30V 5V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 250V 420mΩ@ 3.7A,10V 7.4A 700pF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 2453900
供应商: element14
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD9N25TM

FQD9N25TM概述


    产品简介


    FQD9N25 / FQU9N25 N-Channel QFET® MOSFET
    FQD9N25/FQU9N25是ON Semiconductor(现为安森美)生产的一种N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET采用先进的平面条纹和DMOS技术制造,旨在减少导通电阻(RDS(on)),提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这种MOSFET广泛应用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 热阻,结到外壳的最大值:RθJC = 2.27°C/W
    - 热阻,结到环境(最小2盎司铜垫)的最大值:RθJA = 110°C/W
    - 热阻,结到环境(1平方英寸2盎司铜垫)的最大值:RθJA = 50°C/W
    - 电气特性
    - 额定电压:250V
    - 最大漏极电流:7.4A
    - 导通电阻(RDS(on)):最大420mΩ(VGS = 10V,ID = 3.7A时)
    - 低栅极电荷:典型值15.5nC
    - 低Crss:典型值15pF
    - 完全雪崩测试
    - 机械尺寸
    - D-PAK封装
    - 尺寸:见图16
    - I-PAK封装
    - 尺寸:见图18

    产品特点和优势


    FQD9N25/FQU9N25具有多项独特的优势:
    1. 低导通电阻(RDS(on)):这有助于降低功耗并提高效率。
    2. 低栅极电荷:减少开关损耗,提升整体系统性能。
    3. 低Crss:提高了系统的可靠性和稳定性。
    4. 完全雪崩测试:确保产品的可靠性,能够在极端条件下正常工作。

    应用案例和使用建议


    FQD9N25/FQU9N25非常适合用于多种应用场景,例如:
    1. 开关电源:利用其低导通电阻和低栅极电荷特性,可以显著提高电源的转换效率。
    2. 有源功率因数校正(PFC):适用于要求高效率和高性能的场合。
    3. 电子灯镇流器:适合需要长时间稳定工作的设备。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到MOSFET的工作温度和热管理。适当增加散热片或使用高效散热材料以保证良好的散热效果。
    - 选择合适的栅极驱动电路,确保快速和稳定的开关操作,以减少栅极电荷的影响。

    兼容性和支持


    FQD9N25/FQU9N25可与其他标准MOSFET管脚兼容,方便集成到现有系统中。ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和客户服务,包括应用指南、技术文档等资源。购买前请查阅最新的技术资料和产品手册,以确保符合您的具体需求。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极驱动不稳定 | 检查栅极驱动电路,确认正确的栅极电阻和电容配置,确保足够的驱动能力。 |
    | 过热保护失效 | 增加外部散热措施,如使用散热片或风扇;优化散热路径,确保良好的热传导。 |
    | 开关损耗高 | 调整驱动信号的频率和占空比,优化负载条件下的工作状态。 |

    总结和推荐


    FQD9N25/FQU9N25 N-Channel QFET® MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET,其低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为许多高效率应用的理想选择。特别是在开关电源、有源功率因数校正和电子灯镇流器中表现出色。ON Semiconductor提供的详细技术文档和支持也为用户提供了便利。总体而言,这款MOSFET非常适合那些需要高可靠性和高效率的应用场景,强烈推荐给相关领域的工程师和技术人员。

FQD9N25TM参数

参数
栅极电荷 20nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 2.5W(Ta),55W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 420mΩ@ 3.7A,10V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 7.4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@25V
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FQD9N25TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD9N25TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD9N25TM FQD9N25TM数据手册

FQD9N25TM封装设计

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