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FQP45N15V2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 220W(Tc) 30V 4V@ 250µA 94nC@ 10V 1个N沟道 150V 40mΩ@ 22.5A,10V 45A 3.03nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: 1095066
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQP45N15V2

FQP45N15V2概述

    FQP45N15V2 / FQPF45N15V2 N-Channel QFET® MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    FQP45N15V2 和 FQPF45N15V2 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 Fairchild Semiconductor 的专有平面条纹和 DMOS 技术制造。这些器件特别设计用于降低通态电阻,提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。它们适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等多种应用。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术参数,便于理解和应用:
    - 电气特性:
    - 最大漏源电压 (VDS):150 V
    - 连续漏极电流 (TC = 25°C):45 A
    - 连续漏极电流 (TC = 100°C):31 A
    - 脉冲漏极电流 (单次脉冲):180 A
    - 栅源电压 (VGSS):±30 V
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):1124 mJ
    - 雪崩电流 (IAR):45 A
    - 重复性雪崩能量 (EAR):22 mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:4.5 V/ns
    - 最大功耗 (TC = 25°C):220 W (TO-220) 或 66 W (TO-220F)
    - 热阻抗 (最大值):0.68°C/W (TO-220) 或 2.25°C/W (TO-220F)
    - 反向恢复时间 (trr):176 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):1.19 µC
    - 栅极电荷:
    - 总栅极电荷 (Qg):72 nC (最小值)
    - 栅源电荷 (Qgs):13 nC (最小值)
    - 栅漏电荷 (Qgd):31 nC (最小值)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):2330 pF (最小值)
    - 输出电容 (Coss):510 pF (最小值)
    - 反向转移电容 (Crss):135 pF (最小值)

    产品特点和优势


    1. 低通态电阻:RDS(on) = 40 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 22.5 A
    2. 低栅极电荷:典型值为 72 nC,适合快速开关应用。
    3. 低反向传输电容 (Crss):典型值为 135 pF,有助于减少开关损耗。
    4. 100% 雪崩测试,确保高度可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:FQP45N15V2/FQPF45N15V2 适用于多种开关电源拓扑,如 Buck、Boost 和半桥电路。为提高效率,建议选择合适的驱动电阻 (RG) 并优化栅极驱动。
    - 音频放大器:在音频放大器应用中,确保电路布局合理以减少寄生电感,从而避免振铃效应。可考虑使用外部去耦电容来稳定电源轨。
    - 直流电机控制:在电机控制系统中,由于电流较大,需要确保散热设计良好,并监测温度以防止过热。

    兼容性和支持


    FQP45N15V2/FQPF45N15V2 可与其他标准 N 沟道 MOSFET 兼容,适用于现有系统升级或替换。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和资源,帮助客户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 高温降额:在高环境温度下工作时,注意降低最大电流使用量以保持器件的安全运行。
    2. 栅极电荷过高:适当增加栅极电阻 (RG),以降低栅极电荷,避免误导通。
    3. 热管理不足:优化散热设计,如使用散热片和风扇,确保温度不超过器件的最高限制。

    总结和推荐


    FQP45N15V2/FQPF45N15V2 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,具有低通态电阻和低栅极电荷等特点,非常适合于多种电力电子应用。通过仔细选择和优化电路设计,这些器件能够提供高效可靠的性能。强烈推荐在电力转换和控制领域选用这些器件。

FQP45N15V2参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 94nC@ 10V
最大功率耗散 220W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 22.5A,10V
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 1
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.03nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 150V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

FQP45N15V2厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQP45N15V2数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQP45N15V2 FQP45N15V2数据手册

FQP45N15V2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 14.2321
10+ ¥ 10.7703
100+ ¥ 10.5779
500+ ¥ 10.5779
1000+ ¥ 10.5779
库存: 433
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型号 价格(含增值税)
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