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FDB33N25TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=250 V, 33 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-FDB33N25TM
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB33N25TM

FDB33N25TM概述


    产品简介


    FDB33N25 — N-Channel UniFETTM MOSFET
    FDB33N25 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的高性能 N 沟道平面型和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制成的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要特征是低导通电阻和出色的开关性能,适用于多种功率转换应用。该产品可用于平板电视电源、不间断电源、交流-直流电源转换器等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 250V
    - 连续漏极电流(ID): 33A(TC = 25°C),20.4A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 132A
    - 最大栅源电压(VGSS): ±30V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 918mJ
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)): 94mΩ(VGS = 10V,ID = 16.5A)
    - 输入电容(Ciss): 1640pF(VDS = 25V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss): 330pF
    - 反向传输电容(Crss): 39pF
    - 总栅极电荷(Qg): 36.8nC(VDS = 200V,ID = 33A,VGS = 10V)
    - 逆恢复时间(trr): 220ns(VGS = 0V,IS = 33A)

    产品特点和优势


    FDB33N25 的主要特点和优势包括:
    - 低导通电阻(RDS(on)): 仅 94mΩ,使得其非常适合高效率的应用。
    - 低栅极电荷(Qg): 有助于减少驱动损耗。
    - 低反向传输电容(Crss): 有助于改善开关速度。
    - 100% 雪崩测试验证: 确保产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - PDP TV: 用于平板电视的电源转换,提供稳定的电压供应。
    - 照明系统: 用于 LED 驱动电路,提高能效。
    - 不间断电源 (UPS): 用于提供备用电源,确保设备的持续运行。
    - AC-DC 电源转换器: 用于将交流电转换为直流电,广泛应用于各种消费电子产品。
    使用建议
    - 在设计时,应充分考虑散热措施以避免因过热而导致的性能下降。
    - 对于高频率应用,建议使用较低的栅极电阻来减小栅极电荷的影响。
    - 在进行雪崩测试时,应注意限制峰值电流和电压,防止损坏器件。

    兼容性和支持


    FDB33N25 采用标准 D2-PAK 封装,易于安装和替换。厂商提供了详尽的技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,用户可以通过 Fairchild 的技术支持渠道获得进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何降低栅极电荷(Qg)?
    解决方法: 可以通过使用较小的栅极电阻(RG)来减少 Qg,从而降低驱动损耗。
    问题2:如何提高器件的可靠性?
    解决方法: 在使用过程中,应注意散热设计,避免器件因过热而失效。同时,可以在设计中加入适当的保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)。

    总结和推荐


    FDB33N25 N-Channel UniFETTM MOSFET 是一款专为高效率和可靠性要求而设计的高性能 MOSFET。其卓越的性能使其在平板电视、LED 照明、不间断电源及交流-直流电源转换器等多个领域具有广泛应用前景。无论是从技术指标还是应用场景来看,FDB33N25 都是一款值得推荐的产品。

FDB33N25TM参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 94mΩ@ 16.5A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 33A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 235W(Tc)
栅极电荷 48nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.135nF@25V
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FDB33N25TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB33N25TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB33N25TM FDB33N25TM数据手册

FDB33N25TM封装设计

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30+ ¥ 5.0497
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